[实用新型]硅光集成芯片以及多波长并行光模块组件

说明书

本实用新型涉及一种硅光集成芯片，包括本体，本体内集成有用于分光的分路器单元、用于调制光信号的调制器单元、用于将光信号转换成光电流的监控探测器单元以及用于波分复用的波分复用波导区单元，调制器单元和监控探测器单元均与分路器单元连接，调制器单元包括八个调制器，波分复用波导区单元包括两个波分复用波导区，八个调制器通过本体的八路输入波导分别输入两个波分复用波导区。还提供一种多波长并行光模块组件，包括上述的硅光集成芯片。本实用新型采用硅光集成芯片，通过集成的分路器单元、调制器单元、监控探测器单元以及波分复用波导区单元，实现四通道传输，具有性能优良、较低成本、结构简单、可靠性高等优点。

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，具体为一种硅光集成芯片以及多波长并行光模块组件。

背景技术

对于多通道并行光组件，多用于40Gpbs以上速率的场景，如40G、100G、200G以及400G、800G等应用中，在数据中心的应用中，通常是中短距离的数据传输，传输距离为50-2Km，使用的是SR、DR、FR等多种产品。通过400G、800G等高速光模块而言，光纤的色散是制约光模块传输距离的主要因素，EML型激光器以获得窄谱宽、外调制的方法是获得稳定调制并且色散低的技术方案，也是现今市场的主流的选择，如专利CN110764202A。然而应用于400G、800G速率的EML型激光器芯片，属于高端有技术瓶颈的核心芯片，价格昂贵，而并行光组件意味着采用多路EML芯片，所以光组件的物料成本很高。如何降低并行光组件的成本一直是业界努力的方向。专利CN202120785128.9、CN202110412405.6采用的硅光集成芯片方案，适用于单波长并行传输，光接口处的光纤是多通道类似，并不能适用于诸如CWDM4等多波长并行传输的情形。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅光集成芯片以及多波长并行光模块组件，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：一种硅光集成芯片，包括本体，所述本体内集成有用于分光的分路器单元、用于调制光信号的调制器单元、用于将光信号转换成光电流的监控探测器单元以及用于波分复用的波分复用波导区单元，所述调制器单元和所述监控探测器单元均与所述分路器单元连接，所述调制器单元包括八个调制器，所述波分复用波导区单元包括两个波分复用波导区，八个所述调制器通过本体的八路输入波导分别输入两个所述波分复用波导区。

进一步，所述分路器单元包括四个3dB分路器、四个97:3比例分路器以及四个3:97比例分路器，每个所述3dB分路器接一个所述97:3比例分路器和一个所述3:97比例分路器。

进一步，所述本体还集成有四路输入波导，四路输入波导均接入所述分路器单元，所述本体的四路输入波导和所述本体的八路输入波导所在的本体的端面设置成平面或斜面，当设置成斜面时，倾斜角度在4～8°之间。

进一步，所述本体的外表面集成有高速信号焊盘区以及直流控制信号焊盘区。

本实用新型实施例提供另一种技术方案：一种多波长并行光模块组件，包括上述的硅光集成芯片。

进一步，所述PCBA上还设有DSP芯片，还包括PCBA，所述PCBA上设有DSP芯片，所述硅光集成芯片和所述DSP芯片间隔设置，所述硅光集成芯片远离所述DSP芯片的一侧接有FA组件。

进一步，所述PCBA上具有贯通其上下表面的窗口，所述硅光集成芯片位于所述窗口所在的区域内。

进一步，所述窗口所在的区域内还具有激光器组、耦合透镜组、阵列隔离器、阵列透镜、玻璃条、波分复用芯片组件以及热沉，所述阵列透镜、所述阵列隔离器、所述耦合透镜组以及所述激光器组沿所述DSP芯片至所述硅光集成芯片的方向依次设置，所述FA组件设在所述阵列透镜、所述阵列隔离器、所述耦合透镜组以及所述激光器组所组成的结构的一侧，所述激光器组、所述耦合透镜组、所述阵列隔离器和所述阵列透镜的通道数相同。