[实用新型]一种激光开槽结构及太阳电池有效
申请号: | 202222293076.0 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN218333816U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 刘冬;万柳斌;杨树锰 | 申请(专利权)人: | 通合新能源(金堂)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/048 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 610400 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 开槽 结构 太阳电池 | ||
本申请实施例提供一种激光开槽结构及太阳电池,涉及光伏领域。激光开槽结构其包括若干个设置于硅片的钝化层表面的光斑,所有光斑排列形成若干条相互平行的激光槽;每条激光槽分为若干条交替间隔设置的第一实线和第二实线,以及第一实线和第二实线之间的虚线;第一实线和第二实线是光斑间隔布置形成的,且任意第一实线的长度大于任意第二实线的长度;每条激光槽中,第一实线和第二实线的总长度与虚线的总长度的比为1:0.2~1.5。该激光开槽结构能降低开膜率,提升太阳电池的光电转化效率。
技术领域
本申请涉及光伏领域,具体而言,涉及一种激光开槽结构及太阳电池。
背景技术
在光伏电池的制备过程中,通常会使用PERC(Passivated Emitter and RearCell,钝化发射极和背面电池)工艺对电池片的背面进行钝化,形成钝化层。由于PERC工艺形成的钝化层(SixNy)无法导电,且铝浆和银浆结构在烧结过程无法穿透该层。因此,在印刷前需要利用激光将背面的钝化层划开进行局部开槽,这样能在钝化层上形成线性的激光开槽结构以使硅基体露出,保证印刷后的铝浆与硅片接触烧结形成背面电极。
现有光伏电池中,背面的激光结构的实线长度是固定不变的(如图1和图2所示,该结构被称为两段式),两段式的激光开槽结构的开膜率高,不利于提升太阳电池的转化效率。
实用新型内容
本申请实施例提供一种激光开槽结构及太阳电池,该激光开槽结构能降低开膜率,提升太阳电池的光电转化效率。
第一方面,本申请实施例提供了一种激光开槽结构,其包括若干个设置于硅片的钝化层表面的光斑,所有光斑排列形成若干条相互平行的激光槽;每条激光槽分为若干条交替间隔设置的第一实线和第二实线,以及位于所述第一实线和所述第二实线之间的虚线;第一实线和第二实线是光斑间隔布置形成的,且任意第一实线的长度大于任意第二实线的长度;每条激光槽中,第一实线和第二实线的总长度与虚线的总长度的比为1:0.2~1.5。
在上述实现过程中,每条激光槽中的第一实线和第二实线是间隔设置的,这样能在制备太阳电池时,能在形成电性连接的情况下,尽量减少钝化层的损伤面积(即降低开膜率),有利于提高太阳电池的能量转化效率。而且本申请实施例中,第一实线和第二实线是由光斑间隔布置形成的,这样能减少相邻的两个光斑之间发生过度掺杂的现象,有利于提高太阳能电池的能量转化效率。另外,第一实线和第二实线之间没有光斑的区域一般被称为虚线。
当本申请实施例中的激光开槽结构用于硅片的钝化层时,太阳电池上的栅线会对应的与第一实线和第二实线接触,由于本申请实施例中的第二实线的长度小于第一实线的长度,因此在使用时,栅线与激光开槽结构的接触长度变短,这表示载流子的传输距离变短,载流子的传输距离变短,则接触电阻变小,这样就可以提升太阳电池的能量转化效率。
在一种可能的实现方式中,每条激光槽中,相邻的第一实线、虚线、第二实线的长度比为(0.2~1.5):(0.2~1):(0.2~1.5)。
在上述实现过程中,将相邻的第一实线、虚线、第二实线的长度比控制在合适的范围内,有利于更好地降低接触电阻,从而进一步地提升太阳电池的能量转化效率。
在一种可能的实现方式中,每条激光槽中,相邻的第一实线、虚线、第二实线的长度比为0.7:0.8:0.35。
在一种可能的实现方式中,第一实线和/或第二实线中,相邻的光斑之间的距离为30~50μm。
在上述实现过程中,第一实现和/或第二实现中的光斑之间的距离设置在30~50μm,有利于更好地减少过度掺杂的现象发生,可进一步提高太阳电池的能量转化效率。
在一种可能的实现方式中,第一实线和/或第二实线中,相邻的光斑之间的距离为35~45μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的