[实用新型]一种激光开槽结构及太阳电池有效
申请号: | 202222293076.0 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN218333816U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 刘冬;万柳斌;杨树锰 | 申请(专利权)人: | 通合新能源(金堂)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/048 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 610400 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 开槽 结构 太阳电池 | ||
1.一种激光开槽结构,其特征在于,其包括若干个设置于硅片的钝化层表面的光斑,所有所述光斑排列形成若干条相互平行的激光槽;
每条所述激光槽分为若干条交替间隔设置的第一实线和第二实线,以及位于所述第一实线和所述第二实线之间的虚线;所述第一实线和所述第二实线分别是由若干个所述光斑连续间隔布置形成的,且任意所述第一实线的长度大于任意所述第二实线的长度;
每条所述激光槽中,所述第一实线和所述第二实线的总长度与虚线的总长度的比为1:0.2~1.5。
2.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,每条所述激光槽中,相邻的所述第一实线、所述虚线、所述第二实线的长度比为(0.2~1.5):(0.2~1):(0.2~1.5)。
3.根据权利要求2所述的激光开槽结构,其特征在于,每条所述激光槽中,相邻的所述第一实线、所述虚线、所述第二实线的长度比为0.7:0.8:0.35。
4.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,所述第一实线和/或所述第二实线中,相邻的所述光斑之间的距离为30~50μm。
5.根据权利要求4所述的激光开槽结构,其特征在于,所述第一实线和/或所述第二实线中,相邻的所述光斑之间的距离为35~45μm。
6.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,每条所述第一实线的所述光斑个数为10~25,每条所述第二实线的所述光斑个数为5~15;且每条所述激光槽中,所述第一实线的光斑个数大于所述第二实线的光斑个数。
7.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,相邻的两条所述激光槽之间的距离为1~2mm。
8.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,所述激光槽的长度为1~3mm。
9.根据权利要求1所述的激光开槽结构,其特征在于,所述钝化层的表面设置有60~80条激光槽,每条所述激光槽上的开孔率为0.3~0.7。
10.一种太阳电池,其特征在于,其包括栅线、硅片、钝化层,所述钝化层设置于所述硅片的表面,所述钝化层远离所述硅片的表面设置有如权利要求1~9任一项所述的激光开槽结构,所述栅线设置于所述钝化层的表面,每根所述栅线通过所述光斑与所述硅片形成欧姆接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的