[实用新型]晶圆吸附装置有效
| 申请号: | 202222289750.8 | 申请日: | 2022-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN218471923U | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
| 发明(设计)人: | 周阳;刘普然;杨轩毅 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 张亚静 |
| 地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 装置 | ||
本实用新型提供了一种晶圆吸附装置,包括:吸附环、抽气孔以及吸附孔;所述吸附环的轴向一端面作为吸附面,所述吸附环具有第一内腔;所述吸附孔开设于所述吸附面上并与所述第一内腔连通;所述抽气孔与所述第一内腔连通。本实用新型的吸附环的轴向一端面作为吸附面,吸附面适应性的为环形结构,则晶圆吸附装置通过吸附面吸附晶圆时,吸附面只与晶圆的边缘处接触,减少与晶圆的接触面积,进而改善晶圆被硅粉污染的现象,以提高成品率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆制造技术领域,特别涉及一种晶圆吸附装置。
背景技术
晶圆吸附装置是晶圆制造的各个工序之间交接过程中必不可少的工具,例如,在晶圆加工完成后,需要将工作台上的晶圆吸附起来,并对晶圆的贴膜面清洗,然后再转移至下一工作台上进行研磨面冲洗;
现有的晶圆吸附装置通常采用全吸式吸盘,该吸盘的吸附面通常是整体适形吸附在晶圆的背面上,该吸附结构会对晶圆的背面表层造成不可逆的硅粉污染,造成后段电子枪蒸镀时,气态金属在晶圆背面的粘附性降低,造成晶圆的良品率下降,而且被硅粉污染的晶圆的再加工的成功率较低,再加工时晶圆破损的概率非常高,而且再加工会降低生成节拍。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆吸附装置,该吸附装置的吸附面为环形,用于吸附晶圆的边沿处,减少与晶圆的接触面积,进而改善晶圆被硅粉污染的现象,以提高成品率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆吸附装置,包括:吸附环、抽气孔以及吸附孔;
所述吸附环的轴向一端面作为吸附面,所述吸附环具有第一内腔;
所述吸附孔开设于所述吸附面上并与所述第一内腔连通;
所述抽气孔与所述第一内腔连通。
可选的,所述晶圆吸附装置还包括吸附台和充气孔,所述吸附台与所述吸附环的轴向远离所述吸附面的一端密封连接,所述吸附环的内周面与所述吸附台合围成充气槽,所述充气孔与所述充气槽连通。
可选的,所述吸附环包括环体和微孔陶瓷盖,所述环体的轴向一端开口,所述微孔陶瓷盖适形密封盖于该开口处,所述微孔陶瓷盖自身的微孔作为所述吸附孔,所述微孔陶瓷盖轴向远离所述环体的一端面作为所述吸附面。
可选的,所述晶圆吸附装置还包括压力检测器,所述压力检测器至少用于检测所述充气槽内的气压。
可选的,所述吸附环和所述吸附台一体成型。
可选的,所述吸附台具有第二内腔,所述吸附环轴向靠近所述吸附台的一端开口,所述第二内腔与该开口端适形连通,所述抽气孔开设于所述吸附台上并与所述第二内腔连通。
可选的,所述第二内腔、所述抽气孔、所述吸附环以及所述第一内腔同轴设置。
可选的,所述晶圆吸附装置还包括支撑臂,所述支撑臂连接于所述吸附台沿轴向远离所述吸附环的一端。
可选的,所述晶圆吸附装置还包括充气管,所述充气孔由所述吸附台靠近吸附环的一端穿过所述第二内腔至所述吸附台远离所述吸附环的一端后与所述充气管连接,所述充气管顺着所述支撑臂延伸。
可选的,所述晶圆吸附装置还包括吸气管,所述抽气孔开设于所述吸附台远离所述吸附环的一端,所述吸气管与所述抽气孔连通并顺着所述支撑臂延伸。
综上所述,本实用新型提供的晶圆吸附装置,包括:吸附环、抽气孔以及吸附孔;所述吸附环的轴向一端面作为吸附面,所述吸附环具有第一内腔;所述吸附孔开设于所述吸附面上并与所述第一内腔连通;所述抽气孔与所述第一内腔连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





