[实用新型]基座支撑装置及薄膜沉积设备

说明书

本实用新型提供了一种基座支撑装置及薄膜沉积设备，包括基座和旋转轴；所述基座包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面中心处设置有凹陷部，且所述凹陷部向所述基座内延伸一深度；所述旋转轴的一端设置有凸设部，且所述凸设部与所述凹陷部适配连接，以使所述旋转轴带动所述基座同步发生转动；所述凸设部和所述凹陷部沿着所述旋转轴的径向截面均呈多边形结构；其中，所述凹陷部向所述基座内延伸的深度与所述基座的转速相适配；本实用新型采用径向截面呈多边形结构的凸设部和凹陷部适配连接，避免发生起步打滑；并能减少基座中心凹陷部向基座内延伸的深度，提高了基座温度的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，尤其涉及一种基座支撑装置及薄膜沉积设备。

背景技术

在外延薄膜沉积设备的反应腔中，用来承载外延片的基座通常需要进行旋转来得到较好的反应均匀性。如现有的金属有机化学气相沉积(Metal-Organic CVD，MOCVD)设备，其旋转一般采用两种技术路线：(1)低速旋转，低速时如果采用中心支撑(基座与旋转轴浮动连接，在基座中心加工圆锥形凸台，而在旋转轴上加工圆锥形凹坑，使两者配合并利用圆锥面的摩擦力来驱动托盘旋转)，由于没有陀螺效应，基座和旋转轴无法达到动平衡，抖动误差大；而如果采用边缘支撑，结构复杂，加工复杂。(2)高速旋转，现有技术一般采用中心支撑，会有起步打滑的问题。并且为了增大摩擦力，基座上设置的凹槽深度要远大于基座厚度的一半，这样会导致中心温度不均匀，存在中心温度需要补偿的问题。

实用新型内容

鉴于现有技术中外延薄膜沉积设备中存在的上述不足及缺陷，本实用新型的目的在于提供一种基座支撑装置及薄膜沉积设备，用以改善薄膜沉积设备低速旋转时，存在的抖动误差大，以及中心温度需要补偿的问题；高速旋转时，会有起步打滑和中心结构导致的中心温度需要补偿的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种基座支撑装置，包括基座和旋转轴；

所述基座包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于放置若干待处理的基片，所述第二表面中心处设置有凹陷部，且所述凹陷部向所述基座内延伸一深度；

所述旋转轴的一端设置有凸设部，且所述凸设部与所述凹陷部适配连接，以使所述旋转轴带动所述基座同步发生转动；

所述凸设部和所述凹陷部沿着所述旋转轴的径向截面均呈多边形结构；

其中，所述凹陷部向所述基座内延伸的深度与所述基座的转速相适配。

可选的，所述凸设部与所述凹陷部均呈棱台形结构或棱柱形结构。

可选的，在所述凸设部呈棱台形结构时，所述凸设部的侧面面积沿着所述基座向所述旋转轴的方向逐渐增大。

可选的，所述棱台结构的棱延长线与所述旋转轴的轴线之间形成角A，所述角A的范围介于0至90°之间。

可选的，在所述旋转轴的转速介于0至200rpm时，所述角A的范围介于45°至90°之间；在所述旋转轴的转速大于200rpm时，所述角A的范围介于0至45°之间。

可选的，所述凹陷部向所述基座内延伸的深度小于所述基座厚度的一半。

可选的，所述凸设部呈伞状结构，所述伞状结构的底面呈多边形结构，所述凹陷部为与所述伞状结构适配的形状。

可选的，所述凸设部的侧面沿周向设置有若干个限位条，所述凹陷部的壁上设有与所述限位条相卡接的限位槽。

可选的，所述限位条的两端点的连线与所述旋转轴的轴线之间形成角B，所述角B的范围介于0至90°之间。

本实用新型还提供了一种薄膜沉积设备，包含所述的基座支撑装置。

如上所述，本实用新型的基座支撑装置及薄膜沉积设备，具有以下有益效果：