[实用新型]一种静电保护装置

说明书

本实用新型公开了一种静电保护装置，用于保护集成电路的免受静电损坏，包括ESD管，所述ESD管包括源端(S)与漏端(D)；源端(S)与漏端(D)金属线宽度均为6.6u；ESD管外围设置多层保护环(G)。提高了集成电路的抗静电泄放能力。

技术领域

本实用新型属于结构技术领域，尤其涉及电路板结构技术领域，具体涉及一种静电保护装置。

背景技术

静电放电对电子元器的性能影响很大，同时也是集成电路IC在制造、运输、以及使用过程中经常发生并且导致IC芯片损坏或失效的重要原因之一。由于在芯片的制造、封装、测试和使用过程中都可能产生静电，生产过程中，COF(Chip On Flex，or，Chip On Film，覆晶薄膜)冲切、COF与FPC(Flexible Printed Circuit，柔性电路板)的贴合、屏体后期TP(touchpanel，触摸屏)贴合等等都会对IC造成ESD(Electronic Static Discharge，静电泄放)冲击，在整机应用时，干燥、恶劣的环境同样会造成严重的ESD冲击，产生静电，而且静电的瞬间电压非常高，可以高达几千伏，可能对电路造成永久性和毁灭性的损坏。

为了获得性能更好，更可靠的IC芯片，增加ESD管，通过ESD的静电保护是非常重要的。常规的通常的处理方式不会对ESD管的source端(也称源端)做特殊处理，导致source端相对drain端(也称漏端)过流能力相对较弱，同时也可能在对二者连线时，source端和drain端混淆，导致其过流能力不足，极端情况下可能导致芯片损毁。内部器件布局相对比较分散和复杂，整体形状也不规整，在其外部添加保护环guangring会进一步增加复杂度和布局难度，面积也会相应地大幅增加。

图1所示，drain端D有源区宽度为6.6u，source端S则仅有2.2u，其上的通孔数量和金属宽度相对不足，过流能力远不如drain端D。同时，面积较大区域为ESD管，其余部分为内部器件，其布局相对较散乱且不规整，造成了一定的面积浪费。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种静电保护装置，提高集成电路的抗静电泄放能力。

本实用新型提供的技术方案如下：

一种静电保护装置，包括ESD管，所述ESD管包括源端S与漏端D；源端S与漏端D金属线宽度均为6.6u；

ESD管外围设置多层保护环G。

所述的ESD管与其它器件的距离大于77u。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型实施例提供的一种静电保护装置，提高集成电路的抗静电泄放能力。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1为现有技术的静电保护装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的静电保护装置的示意图。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。

首先对本文中可能使用的术语进行如下说明：

术语“和/或”是表示两者任一或两者同时均可实现，例如，X和/或Y表示既包括“X”或“Y”的情况也包括“X和Y”的三种情况。