[实用新型]一种分阶驱动电路及比较器

说明书

本实用新型公开了一种分阶驱动电路及比较器，分阶驱动电路包括P沟道型MOS管MP1、MP2、MP3，N沟道型MOS管MN1，电阻R1、R2；其中，MP1的源极接电源VDD，MP1的漏极接所述MP3的源极，MP1的漏极和MP3的源极的公共端接所述MP2的漏极，MP2的源极接电源VDD；MP3的漏极与电阻R1、电阻R2依次连接，电阻R2的另一端接地，MN1的漏极接电阻R1与电阻R2的公共端，MN1的源极接地。该分阶驱动电路能够分阶段输出电压，使得比较器的输入信号的噪声得以改善，输出信号噪声功率比提高。

技术领域

本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种分阶驱动电路及比较器。

背景技术

沟道电荷注入效应和馈通效应是导致图像传感器成像噪声的主要原因。由于这两个效应的存在使得图像传感器中的比较器的输入电压产生波动，其结果是每列像素所对应的比较器的输出噪声不一样。就目前百万像素级的CIS处理芯片而言，需要配置上千个比较器，这样就使得输出的噪声信号占比较高，对图像传感器的画质产生严重的影响。此外，随着精度的不断提高，有效信号被放大的同时噪声信号也随之被放大。

鉴于此，特提出本申请。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是在沟道电荷注入效应和馈通效应的影响下，比较器的输出信号的信噪比不高，影响成像质量。

为解决上述问题，本实用新型的第一方面在于，提供一种分阶驱动电路包括：P沟道型MOS管MP1、MP2、MP3，N沟道型MOS管MN1，电阻R1、R2。其中，MP1的源极接电源VDD，MP1的漏极接MP3的源极，所述MP1的漏极和MP3的源极的公共端接MP2的漏极，MP2的源极接电源VDD；所述MP3的漏极与电阻R1、电阻R2依次连接，电阻R2的另一端接地，MN1的漏极接电阻R1与电阻R2的公共端，MN1的源极接地。所述MP1的栅极、所述MP2的栅极、所述MP3的栅极、所述MN1的栅极分别接控制信号线Current、Input2、Input1、SW；所述MP3的漏极和所述电路R1的公共端接输出信号Control1。

另一方面，本实用新型还提供一种比较器，包括运算放大器、等值电容C1、C2，还包括所述分阶驱动电路，其输出信号Control1输入运算放大器中。本实用新型的有益效果为：通过分阶驱动电路控制Control1电压的大小，在Control1电压解除的瞬间，电压变化幅度减小，进而对比较器的输入电压的影响较小，比较器的输出信号的噪声得到改善，SNR提高。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型实施例的限定。在附图中：

图1本实用新型一实施例的分阶驱动电路的结构示意图；

图2本实用新型一实施例的比较器结构示意图。

具体实施方式

以下结合各个附图对实用新型提出的内容进行详细的实施说明。

沟道电荷注入效应是指MOS管在关闭瞬间，沟道内的载流子会注入到MOS管的源极和漏级从而影响这两端的电压。而馈通效应是指MOS管的栅极电压变化时也会影响MOS管的源极和漏极的电压。由于这两种效应的影响，使得比较器的输出信号信噪比不高，严重影响成像质量。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种分阶驱动电路能够分阶输出电压，使得电压的变化幅度变小。此外，包含该分阶驱动电路的比较器，能够尽可能地减小比较器输入信号的波动，使得噪声信号得到改善，信噪比提高。

以下对照图1对本实用新型的分阶驱动电路的具体电路结构进行详细说明：