[实用新型]一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖

说明书

本实用新型涉及八孔铝盘技术领域，具体涉及一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，包括盖体，所述盖体的正面设置有八个圆盘，八个所述圆盘的正面均开设有排气槽，所述盖体的正面开设有若干透气孔，所述圆盘的外侧均设置有排气环，所述排气环的正面均开设有排气孔，与现有的八孔铝盘下盖相比，本实用新型通过设计能够提高八孔铝盘下盖的实用性。

技术领域

本实用新型涉及八孔铝盘技术领域，具体涉及一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖。

背景技术

图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphire Substrate,PSS)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命；另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长，通过上下盖封装蓝宝石衬底(也称晶圆片)，传送至干法刻蚀机器内，进行图形化蓝宝石衬底(PSS刻蚀)。期间需保证产品的温度，以及氦流量，目前，传统的PSS八孔铝盘下盖在生产时发现氦气气流不均匀、不舒畅，所以在刻蚀生产过程中导致晶圆温度偏高，良率偏低，且连接稳固性较差，下盖在工作时容易脱落，因此对于现有八孔铝盘下盖的改进，设计一种新型八孔铝盘下盖以改变上述技术缺陷，提高整体八孔铝盘下盖的实用性，显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，包括盖体，所述盖体的正面设置有八个圆盘，八个所述圆盘的正面均开设有排气槽，所述盖体的正面开设有若干透气孔，所述圆盘的外侧均设置有排气环，所述排气环的正面均开设有排气孔。

作为本实用新型优选的方案，八个所述圆盘的外部结构大小相同，八个所述圆盘的内部结构大小相同。

作为本实用新型优选的方案，八个所述圆盘的厚度小于或等于盖体厚度的三分之二。

作为本实用新型优选的方案，八个所述圆盘的厚度与排气槽的深度均相同。

作为本实用新型优选的方案，八个所述圆盘的直径等于或大于50mm。

作为本实用新型优选的方案，八个所述排气环与相邻排气环的接触面均设置有向内弯曲的圆弧。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型中，通过圆盘、排气槽以及透气孔的设计，下盖底部设置了八个结构相同的圆盘，且在八个圆盘的正面均开设了相同结构大小的排气槽，同时，八个圆盘的厚度小于或等于盖体厚度的三分之二，八个圆盘的直径等于或大于50mm，排气槽的深度与圆盘的深度相同，在使用其装置时，此方法改善了氦气的流通性能，防止氦气滞留，有效的增加了氦气流量，使气流运转顺畅，从而解决了晶圆刻蚀过程中温度偏高的问题，使晶圆在刻蚀过程中的温度降低，提高了晶圆良率，有效的提高了八孔铝盘下盖整体的实用性。

2、本实用新型中，通过排气环以及排气孔的设计，八个排气环与相邻排气环的接触面均设置有向内弯曲的圆弧，使得两个相邻排气环之间留有氦气流通的空间，避免了氦气堵塞的问题，进一步的增加了氦气流量，使气流运转更加顺畅，同时排气环使氦气停留在排气槽中，在通过排气孔向外排出，避免了氦气四溢，避免了在晶圆刻蚀过程中温度分布不均匀，从而导致晶圆良率降低的问题，使晶圆在刻蚀过程中，氦气在八孔铝盘下盖上分布均匀，温度均匀，进一步的提高了晶圆良率，有效的提高了八孔铝盘下盖的实用性。