[实用新型]一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖有效
| 申请号： | 202221159101.X | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN217562543U | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 金道根 | 申请（专利权）人： | 深圳市金旺鑫半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 深圳力拓知识产权代理有限公司 44313 | 代理人： | 夏锋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底部 带有 圆形 排气 八孔铝盘下盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，包括盖体(1)，其特征在于：所述盖体(1)的正面设置有八个圆盘(2)，八个所述圆盘(2)的正面均开设有排气槽(3)，所述盖体(1)的正面开设有若干透气孔(4)，所述圆盘(2)的外侧均设置有排气环(5)，所述排气环(5)的正面均开设有排气孔(6)。
2.根据权利要求1所述的一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，其特征在于：八个所述圆盘(2)的外部结构大小相同，八个所述圆盘(2)的内部结构大小相同。
3.根据权利要求1所述的一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，其特征在于：八个所述圆盘(2)的厚度小于或等于盖体(1)厚度的三分之二。
4.根据权利要求1所述的一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，其特征在于：八个所述圆盘(2)的厚度与排气槽(3)的深度均相同。
5.根据权利要求1所述的一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，其特征在于：八个所述圆盘(2)的直径等于或大于50mm。
6.根据权利要求1所述的一种底部带有圆形排气槽的八孔铝盘下盖，其特征在于：八个所述排气环(5)与相邻排气环的接触面均设置有向内弯曲的圆弧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
