[实用新型]一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘有效
| 申请号: | 202220919346.1 | 申请日: | 2022-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN217387121U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
| 发明(设计)人: | 王建冲;杨鹏远;王超星;张玉利 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 规格 吸附 静电 吸盘 | ||
本实用新型涉及半导体装备技术领域,具体为一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,包括依次设置的绝缘基板、静电电极层和电介质层;所述静电电极层上设有2n个静电电极区域,所有静电电极区域从静电电极层的中心向边缘依次排列;所述电介质层上设有n个电介质层区域,所有电介质层区域从电介质的中心向边缘依次排列;其中,n为正整数。该静电吸盘可满足多规格晶圆加工的集成电路制造设备的需求,可以在不更换核心零部件情况下快速完成工艺规格的变更。
技术领域
本实用新型涉及半导体装备技术领域,特别是涉及一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘。
背景技术
在集成电路制造装备中,作为核心零部件的静电吸盘起到支持、固定晶圆的作用,而且可以对晶圆进行整平和温度控制等等。
常规的静电吸盘主要有电极层、电介质层、金属基座等部分组成。在集成电路的装备中配置的静电卡盘规格是根据工艺晶圆规格进行定制配置的,一般为单一尺寸规格,比容6寸、8寸、12寸等等。一般情况下,一款静电吸盘电极层为连续两区结构,介电层为一体结构,无法在一款静电吸盘的表面按吸附需求产生特定面积区域的吸附力。所以,常规的静电吸盘仅能够针对一款特定尺寸规格的晶圆进行吸附,不能兼容多种尺寸规格的晶圆。
目前,有个别的制造设备是具备多尺寸规格工艺兼容能力的,但是在更换另一规格晶圆工艺时,设备需要进行长时间停机进行对应晶圆规格的静电卡盘更换和调试,极大的降低了生产效率。
因此,设计开发一种能够满足多种规格晶圆吸附要求的静电吸盘,成为了本领域亟需解决的难题之一。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,可满足多规格晶圆加工的集成电路制造设备的需求,可以在不更换核心零部件情况下快速完成工艺规格的变更。
为了解决上述技术问题,本申请提供了如下技术方案:
一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,包括依次设置的绝缘基板、静电电极层和电介质层;所述静电电极层上设有2n个静电电极区域,所有静电电极区域从静电电极层的中心向边缘依次排列;所述电介质层上设有n个电介质层区域,所有电介质层区域从电介质的中心向边缘依次排列;其中,n为正整数。
进一步的,位于静电电极层中心的静电电极区域呈圆形,计为第1个静电电极区域;其余静电电极区域呈环形依次向静电电极层的边缘排列,由内向外依次计为第2个、第3个……第2n个静电电极区域。
进一步的,位于电介质层中心的电介质层区域呈圆形,计为第1个电介质层区域;其余电介质层区域呈环形依次向电介质层的边缘排列,由内向外依次计为第2个、第3个……第n个电介质层区域。
进一步的,静电电极层中,第m个静电电极区域和第m+1个静电电极区域构成一组,即第k组静电电极区域;其中,m为正奇数,k=(m+1)/2,k≤n。
进一步的,电介质层中的第k个电介质层区域对应于静电电极层的第k组静电电极区域。每组静电电极区域均对应一种晶圆尺寸规格。
进一步的,相邻的电介质层区域之间设有隔离结构。采用分区且独立的电介质层布局,可以配合多区的静电电极层结构进行静电力分区控制,不会在非吸附区域产生连带电场效应,影响吸附区域的静电力均匀性。
进一步的,当用于晶圆吸附时,位于晶圆规格范围内的所有静电电极区域通电,位于晶圆规格范围外的所有静电电极区域断电。
也就是说,本实用新型将静电电极层和电介质层都按晶圆尺寸规格进行切分,可以精确的根据所吸附晶圆尺寸进行电场区域控制,能够稳定、均匀的夹持特定规格的晶圆,不会因为静电卡盘表面非吸附区域产生多余电场而影响吸附效果。
与现有技术相比,本实用新型的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘至少具有以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





