[实用新型]一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘有效
| 申请号: | 202220919346.1 | 申请日: | 2022-04-20 |
| 公开(公告)号: | CN217387121U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
| 发明(设计)人: | 王建冲;杨鹏远;王超星;张玉利 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿;刘锋 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 规格 吸附 静电 吸盘 | ||
1.一种用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:包括依次设置的绝缘基板、静电电极层和电介质层;所述静电电极层上设有2n个静电电极区域,所有静电电极区域从静电电极层的中心向边缘依次排列;所述电介质层上设有n个电介质层区域,所有电介质层区域从电介质的中心向边缘依次排列;其中,n为正整数。
2.根据权利要求1所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:位于静电电极层中心的静电电极区域呈圆形,计为第1个静电电极区域;其余静电电极区域呈环形依次向静电电极层的边缘排列,由内向外依次计为第2个、第3个……第2n个静电电极区域。
3.根据权利要求2所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:位于电介质层中心的电介质层区域呈圆形,计为第1个电介质层区域;其余电介质层区域呈环形依次向电介质层的边缘排列,由内向外依次计为第2个、第3个……第n个电介质层区域。
4.根据权利要求3所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:静电电极层中,第m个静电电极区域和第m+1个静电电极区域构成一组,即第k组静电电极区域;其中,m为正奇数,k=(m+1)/2,k≤n。
5.根据权利要求4所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:电介质层中的第k个电介质层区域对应于静电电极层的第k组静电电极区域。
6.根据权利要求5所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:相邻的电介质层区域之间设有隔离结构。
7.根据权利要求6所述的用于多规格晶圆吸附的静电吸盘,其特征在于:当用于晶圆吸附时,位于晶圆规格范围内的所有静电电极区域通电,位于晶圆规格范围外的所有静电电极区域断电。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





