[实用新型]一种导电膜及电子设备有效
申请号: | 202220746953.2 | 申请日: | 2022-04-01 |
公开(公告)号: | CN217386330U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 基亮亮;周小红 | 申请(专利权)人: | 苏州维业达触控科技有限公司;维业达科技(江苏)有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 李爱华 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导电 电子设备 | ||
一种导电膜及电子设备。一种导电膜,包括:基底层;结构层,设置在所述基底层上,所述结构层的远离所述基底层的第一表面上设有至少一个凹槽;第一导电层,所述第一导电层成型于所述凹槽内;第二导电层,所述第二导电层设置在所述结构层的第一表面上。本实用新型还提供一种电子设备,包括如上所述的导电膜。本实用新型提供的导电膜通过埋入式的第一导电层和覆盖在结构层表面的第二导电层,在不改变凹槽宽度深度的情况下,提高导电材料的横截面积,大幅降低导电膜的电阻。
技术领域
本实用新型涉及导电膜技术领域,特别是涉及一种导电膜及电子设备。
背景技术
随着科学技术的发展,越来越多具有触摸功能的终端设备朝着柔性化、轻薄化发展。透明导电膜因其透过率高,导电性能好,广泛的应用在平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域,具有广阔的市场空间。
现有技术中的金属网格类透明导电膜一般在透明基底层上制作一层导电层,其通常包括透明基底层,以及相关金属埋入层,透明基底层表面具有图形化、相连通的凹槽网格,导电材料填充于凹槽网格之中形成导电膜。
常规埋入式网格导电膜是将导电材料填充凹槽并固化,其电阻受凹槽深度宽度、导电材料电阻率和网格占空比而限制,凹槽深度宽度受设备限制难以大幅增加,导电材料常规使用的银浆亦受原材料限制无法大幅降低电阻率。
前面的叙述在于提供一般的背景信息,并不一定构成现有技术。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低电阻的导电膜及电子设备。
本实用新型提供一种导电膜,包括:基底层;结构层,设置在所述基底层上,所述结构层的远离所述基底层的第一表面上设有至少一个凹槽;第一导电层,所述第一导电层成型于所述凹槽内;第二导电层,所述第二导电层设置在所述结构层的第一表面上。
进一步地,所述第二导电层同时覆盖至少部分所述结构层的第一表面和至少部分所述第一导电层的第二表面,所述第一导电层的第二表面为所述第一导电层的远离所述基底层的表面。
进一步地,所述第一导电层的第二表面与所述结构层的第一表面齐平。
进一步地,所述第二导电层的纵向投影位于所述结构层的纵向投影内,或,与所述结构层的纵向投影重合。
进一步地,所述第二导电层包括第一导电部和第二导电部,所述第一导电部与所述第二导电部之间形成镂空部,所述镂空部至少部分位于所述结构层的正上方。
进一步地,所述基底层为PET,PC,PMMA中的一种。
进一步地,所述第一导电层和所述第二导电层分别为采用银纳米浆料、铜纳米浆料或石墨烯浆料中的一种或多种浆料形成的结构。
进一步地,所述凹槽的宽度为1-20um,所述凹槽的深度为1-20um。
进一步地,所述导电膜的第一导电层的电阻范围为0.1-100欧姆/平方米,第二导电层的电阻范围为0.05-100欧姆/平方米。
本实用新型还提供一种电子设备,包括如上所述的导电膜。
本实用新型提供的导电膜通过埋入式的第一导电层和覆盖在结构层表面的第二导电层,在不改变凹槽宽度深度的情况下,提高导电材料的横截面积,大幅降低导电膜的电阻。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例导电膜的截面结构示意图;
图2为本实用新型第二实施例导电膜的截面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
第一实施例
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