[实用新型]一种基于SIW的高增益端射天线

权利要求书

1.一种基于SIW的高增益端射天线，包括馈电结构(1)和辐射结构(2)，其特征在于，所述馈电结构(1)包括微带转共面波导(11)，所述微带转共面波导(11)的前端设有馈电端口(12)，所述微带转共面波导(11)的后端设有终端开口(13)；

所述辐射结构(2)包括基片集成波导腔(21)和L型直立金属反射板(22)，所述基片集成波导腔(21)套设在所述微带转共面波导(11)的后端，所述L型直立金属反射板(22)固定在所述终端开口(13)处的微带转共面波导(11)的上下表面。

2.根据权利要求1所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述微带转共面波导(11)包括从下至上依次连接的第二介质层(111)、粘结层(112)和第一介质层(113)，所述第一介质层(113)上表面设有第一导体层(114)，所述第一介质层(113)和粘结层(112)之间设有第二导体层(115)，所述第二介质层(111)的下表面设有第三导体层(116)，所述微带转共面波导(11)上贯穿设有金属通孔阵列(117)；所述馈电端口(12)设置在所述第二导体层上(115)，所述第一导体层(114)上设有Y形缝隙(14)，所述馈电端口(12)通过微带线(131)与所述Y形缝隙(14)连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述基片集成波导腔(21)的表面设有一对调谐孔(212)。

4.根据权利要求1所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述基片集成波导腔(21)上设有将所述L型直立金属反射板(22)固定的焊锡预留孔位(211)。

5.根据权利要求2所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述第二介质层(111)和第一介质层(113)均为S7136H材料的介质层。

6.根据权利要求2所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述粘结层(112)为pp材料的粘结层。

7.根据权利要求2所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述第一导体层(114)和第三导体层(116)均为铜层。

8.根据权利要求7所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述第一导体层(114)和第三导体层(116)的厚度均为0.035mm。

9.根据权利要求5所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述第二介质层(111)和第一介质层(113)的厚度均为0.25mm。

10.根据权利要求6所述的一种基于SIW的高增益端射天线，其特征在于，所述粘结层(112)的厚度为0.5mm。