[实用新型]一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置

说明书

本实用新型涉及磷化铟生产技术领域，尤其涉及一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置。其技术方案包括：排烟组件、壳体、导气管和隔热箱，壳体的底部两侧安装有两组脚垫，壳体的顶部安装有排烟组件，排烟组件内安装有安装罩，安装罩内部的顶部安装有轴流风机，安装罩的内部外侧安装有插接槽，插接槽的内部安装有过滤网板，过滤网板的底部安装有废料槽，壳体内部的底部两侧安装有电气箱。本实用新型通过在安装罩的内部安装有插接槽，能够通过插接槽将带有过滤网板的把手固定在安装罩的内部，进而利用活性炭材质的过滤网板对装置内部排出的气体进行吸附过滤，以减少排出气体中含有的有害物质，进而提升了装置的环保性。

技术领域

本实用新型涉及磷化铟生产技术领域，具体为一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置。

背景技术

磷化铟是一种半导体材料，在半导体零部件的生产加工中应用较为广泛，磷化铟在生产时需要经过精密的高温加热，从而使原料相互反应产生磷化铟晶体，因此，为了增加磷化铟晶体加工设备的实用性，我们提出一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置。

经检索，专利公告号为CN214244669U公开了一种工业化生产高纯磷化铟多晶半导体材料的装置，包括：反应器筒体，位于所述反应器筒体内部设置有密封反应管；加热器，所述加热器设置有多段。

现有的用于磷化铟生长高精度温度控制装置存在的缺陷是：

1、现有的用于磷化铟生长高精度温度控制装置在对磷化铟晶体进行加热制备时，由于磷化铟是一种具有致癌效果的半导体材料，因此在加热制备的过程中，磷化铟会释放出具有毒性的混合气体，传统的制备设备没有尾气净化结构，具有毒性的气体直接排出会影响周围工作人员的身体健康；

2、现有的用于磷化铟生长高精度温度控制装置在对磷化铟进行制备时，需要采用石英管作为载体进行磷化铟的加热，而石英管其本身的导热系数较小，对于热量的传导效果不够理想，因此无法精确快速地对磷化铟的加热温度进行调节，进而降低了装置的加工效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置，包括排烟组件、壳体、导气管和隔热箱，所述壳体的底部两侧安装有两组脚垫，所述壳体的顶部安装有排烟组件，所述排烟组件内安装有安装罩，所述安装罩内部的顶部安装有轴流风机，所述安装罩的内部外侧安装有插接槽，所述插接槽的内部安装有过滤网板，所述过滤网板的底部安装有废料槽，所述壳体内部的底部两侧安装有电气箱，所述壳体内部的顶部安装有隔热箱，所述隔热箱的正面安装有密封板，所述隔热箱内部的底部两侧安装有支撑架，所述支撑架的顶部安装有固定槽，所述隔热箱的两侧安装有导气管。

使用本技术方案中一种用于磷化铟生长高精度温度控制装置时，通过石英槽对原料进行摆放，将石英槽固定放置在固定槽的内部，利用两组温控机组分别对两组导气管的内部吹入冷空气或者热空气，对隔热箱的内部进行温度控制，通过固定槽对石英槽进行热量的传导，使石英槽内部的原材料受热后产生化学反应生成磷化铟晶体，在加工完成后利用轴流风机通电转动带动隔热箱内部的空气排出，通过过滤网板对废气中的有害物质进行吸附过滤，使空气净化后排出装置，利用废料槽对空气中的颗粒物进行回收，方便对废物进行清理。

优选的，所述插接槽的顶部延伸至安装罩的顶部安装有把手，且插接槽的两侧设有排气孔。把手可以方便对插接槽和过滤网板进行安装拆卸。

优选的，所述壳体内部的顶部安装有排气管，且壳体的内部安装有安装板。排气管可以使壳体内部的尾气排出至安装罩的内部，进而可以使排烟组件对尾气进行净化，安装板可以为周围的组件提供安装的位置。

优选的，所述导气管的一侧安装有导流罩，且导流罩的一侧安装有透气网板。导流罩可以引导导气管内部的空气进入隔热箱中，透气网板可以使导流罩内部的空气进入隔热箱的内部。