[实用新型]一种可调节切割宽度的晶圆切割装置有效

专利信息
申请号: 202220682823.7 申请日: 2022-03-26
公开(公告)号: CN217019101U 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 邓飞宇 申请(专利权)人: 四川和恩泰半导体有限公司
主分类号: B23K26/70 分类号: B23K26/70;B23K26/38;B23K26/402;B28D5/00
代理公司: 北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙) 11947 代理人: 刘爽
地址: 629000 四川省遂宁市经济技术开发*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 调节 切割 宽度 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种可调节切割宽度的晶圆切割装置,涉及晶圆切割设备技术领域。本实用新型包括活动座与固设在其之上的吸附盘,二者的轴线位于同一直线上,所述吸附盘上贯穿开设有沿其轴线环形阵列分布的三个滑槽,所述滑槽内滑动设置有滑块,所述滑块上固设有构造呈弧形的固定块,所述活动座与吸附盘的相对侧之间通过轴承转动设置有沿二者任一轴线环形阵列分布的三个丝杆。本实用新型在使用时,通过吸附盘和三个固定块对晶圆进行双重固定,同时可以保证晶圆的圆心和吸附盘的圆心位于同一直线上,从而避免在后续的切割过程中出现偏差,进而保证了最终结果的准确性,得以满足使用需求,因此更具有实用性。

技术领域

本实用新型涉及晶圆切割设备技术领域,具体涉及一种可调节切割宽度的晶圆切割装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品,晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅,二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%,晶圆在加工过程中,需要通过切割装置对其进行切割,在现有技术中,晶圆切割大多采用激光进行,可以调整切割的长度和宽度。

现有的晶圆切割装置在使用时,大多需要通过人工将晶圆片放置在吸附盘上,虽然吸附盘可以对晶圆进行吸附固定,但在放置晶圆时难以保证晶圆的圆心和吸附盘的圆心位于同一直线上,从而容易导致在后续的切割过程中出现偏差,进而影响最终结果的准确性,无法满足实际使用需求,因此提出一种可调节切割宽度的晶圆切割装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:为解决在放置晶圆时难以保证晶圆的圆心和吸附盘的圆心位于同一直线上,从而容易导致在后续的切割过程中出现偏差,进而影响最终结果的准确性的技术问题,本实用新型提供了一种可调节切割宽度的晶圆切割装置。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案:

一种可调节切割宽度的晶圆切割装置,包括活动座与固设在其之上的吸附盘,二者的轴线位于同一直线上,所述吸附盘上贯穿开设有沿其轴线环形阵列分布的三个滑槽,所述滑槽内滑动设置有滑块,所述滑块上固设有构造呈弧形的固定块,所述活动座与吸附盘的相对侧之间通过轴承转动设置有沿二者任一轴线环形阵列分布的三个丝杆,三个所述丝杆分别螺纹贯穿三个所述滑块,所述活动座上设置有作用于三个所述丝杆并驱使三者同步转动的驱动部。

进一步地,所述固定块内侧的顶部固设有构造呈弧形的限位板。

进一步地,所述固定块的内侧面与所述限位板的底面均设置有防护垫片。

进一步地,所述活动座与所述吸附盘的相对侧之间固设有沿二者任一轴线环形阵列分布的三组固定杆,每组所述固定杆的数量为两个且所述丝杆通过轴承转动设置在二者的相对侧之间。

进一步地,所述驱动部包括通过轴承转动设置在所述活动座上且与其轴线位于同一直线上的转杆,所述转杆上套设有主动齿轮,所述活动座上通过轴承转动设置有沿其轴线环形阵列分布的三个轴杆,所述轴杆上套设有从动齿轮与锥齿轮一,所述从动齿轮与所述主动齿轮啮合,所述丝杆的自由端套设有与所述锥齿轮一啮合的锥齿轮二。

进一步地,所述活动座上固设有支撑框架,所述支撑框架上设置有输出轴与所述转杆连接的伺服电机。

本实用新型的有益效果如下:

1、本实用新型在使用时,通过吸附盘和三个固定块对晶圆进行双重固定,同时可以保证晶圆的圆心和吸附盘的圆心位于同一直线上,从而避免在后续的切割过程中出现偏差,进而保证了最终结果的准确性,得以满足使用需求,因此更具有实用性。

2、本实用新型通过限位板的设计,更稳固的对晶圆进行限位固定。

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