[实用新型]一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构

说明书

本实用新型提供了一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构，涉及原子层沉积领域。这种腔体结构包含箱体组件、密封组件和检测组件。箱体组件包括依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体，以及配置于连接腔体内的镀膜腔体。检测组件接合于箱体组件用以检测工件或者承载工件的载盘组件；密封组件包括配置于箱体组件的六个插板门。第一个插板门和第二个插板门分别用以连通镀膜腔室和连接腔室。第三个插板门用以连通加热腔室和连接腔室。第四个插板门用以连通连接腔室和冷却腔室。第五个插板门用以连通加热腔室和加热腔体的外部。第六个插板门用以连通冷却腔室和冷却腔体的外部。加热腔体、镀膜腔体和冷却腔体，分别进行加热、镀膜和降温，提高了生产效率。

技术领域

本实用新型涉及原子层沉积领域，具体而言，涉及一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构。

背景技术

原子层沉积(Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。并且，沉积层具有极均匀的厚度和优异的一致性。

在先技术中，镀膜过程需要经过升温、通入前驱体A、通入前驱体B，以及降温等多个步骤，生产周期较长，生产效率低下。

有鉴于此，申请人在研究了现有的技术后特提出本申请。

实用新型内容

本实用新型提供了一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构，旨在改善镀膜设备生产效率低下的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构，其包含箱体组件、封组件和检测组件。

箱体组件包括依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体，以及配置于连接腔体内的镀膜腔体。加热腔体设置有加热腔室。连接腔体设置有连接腔室。冷却腔体设置有冷却腔室。镀膜腔体设置有镀膜腔室，且配置于连接腔室。

密封组件包括配置于箱体组件的六个插板门。第一个插板门和第二个插板门分别用以连通镀膜腔室和连接腔室。第三个插板门用以连通加热腔室和连接腔室。第四个插板门用以连通连接腔室和冷却腔室。第五个插板门用以连通加热腔室和加热腔体的外部。第六个插板门用以连通冷却腔室和冷却腔体的外部。

检测组件接合于箱体组件，用以检测工件或者承载工件的载盘组件。

其中，六个插板门均沿着竖直方向设置，以使第一个插板门和第二个插板门和连接腔室之间形成U形结构、第三个插板门和第五个插板门和加热腔体之间形成U形结构，以及第四个插板门和第六个插板门和冷却腔室之间形成U形结构。

通过采用上述技术方案，本实用新型可以取得以下技术效果：

通过加热腔室、镀膜腔室和冷却腔室分别且同时的进行加热、镀膜和冷却三个工作，从而大大提高镀膜设备的生产效率，具有很好的实际意义。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是连续式ALD镀膜设备的轴测图；

图2是连续式ALD镀膜设备的半剖图；

图3是连接腔体的爆炸图；

图4是连接腔室内部的爆炸图；

图5是镀膜腔体的爆炸图；

图6是镀膜腔体的爆炸图(隐藏箱体)；

图7是冷却腔室的轴测图；