[实用新型]桥面、像元结构和芯片有效

专利信息
申请号: 202220607684.1 申请日: 2022-03-18
公开(公告)号: CN217062118U 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 蒋康力;刘建华;丁金玲 申请(专利权)人: 杭州海康微影传感科技有限公司
主分类号: H01L31/08 分类号: H01L31/08;H01L31/0232;B81B7/02
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 潘烨
地址: 311501 浙江省杭州市桐*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 桥面 结构 芯片
【权利要求书】:

1.一种桥面,其特征在于,所述桥面包括:

转化元件,用于接收光信号,并用于将所述光信号转化为电信号;

聚光元件,用于吸引光信号;沿所述桥面的厚度方向,所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。

2.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,所述桥面还包括传导元件,所述传导元件电连接于所述转化元件,并用于传导所述电信号;

所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置。

3.如权利要求2所述的桥面,其特征在于,沿所述桥面的厚度方向,所述传导元件的投影的至少部分与所述转化元件的投影重合;

将所述传导元件和所述转化元件的投影的重叠面积作为第一面积,将所述转化元件的投影面积作为第二面积,所述第一面积和所述第二面积的比值大于等于0.1,并且,小于等于0.5。

4.如权利要求2所述的桥面,其特征在于,所述传导元件和所述聚光元件的材质相同。

5.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,所述转化元件包括:

吸收层,用于接收光信息,所述吸收层的温度与所述光信号的强度呈正相关;沿所述桥面的厚度方向,所述吸收层的投影与所述聚光元件的投影存在重叠部分;

热敏层,与所述吸收层接触,并用于与所述吸收层进行热交换;所述热敏层还用于将自身的温度信号转化为电信号。

6.如权利要求5所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影和所述吸收层的投影存在交叉部分,或者,所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹。

7.如权利要求6所述的桥面,其特征在于,当所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹时,所述聚光元件的投影位于所述吸收层的投影的中心区域。

8.如权利要求5所述的桥面,其特征在于,所述热敏层的电阻值与所述热敏层的温度信号呈正相关或负相关。

9.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述转化元件的投影面积作为第二面积,所述聚光元件的投影面积作为第三面积;

所述第三面积与所述第二面积的比值大于0.2,并且,小于等于0.35。

10.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影形状呈长方形,所述长方形的短边与长边的比值大于等于0.4;或者,

沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影形状呈正方形。

11.一种像元结构,其特征在于,所述像元结构包括桥臂和如权利要求1-10中任意一项所述的桥面;

所述桥臂电连接于所述桥面的所述转化元件,并用于传导所述电信号。

12.如权利要求11所述的像元结构,其特征在于,所述桥面还包括传导元件,所述传导元件电连接于所述转化元件,并用于传导所述电信号;所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置;

所述桥臂包括第一连接元件,所述第一连接元件电连接于所述传导元件;

在形成所述转化元件的至少部分结构后,形成金属连接层;

位于所述桥臂中的、电性连接于所述传导元件的、金属连接层的部分结构作为所述第一连接元件;

位于所述桥面中的、电性连接于所述转化元件的、金属连接层的部分结构作为所述传导元件;

位于所述桥面中的、金属连接层的其他部分作为所述聚光元件,所述聚光元件和所述传导元件以及所述转化元件绝缘设置。

13.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括控制结构和至少一个如权利要求11或12所述的像元结构;

所述像元结构设置于所述控制结构的上方,并且,所述像元结构电连接于所述控制结构;所述控制结构用于接收并处理所述电信号。

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