[实用新型]桥面、像元结构和芯片

权利要求书

1.一种桥面，其特征在于，所述桥面包括：

转化元件，用于接收光信号，并用于将所述光信号转化为电信号；

聚光元件，用于吸引光信号；沿所述桥面的厚度方向，所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。

2.如权利要求1所述的桥面，其特征在于，所述桥面还包括传导元件，所述传导元件电连接于所述转化元件，并用于传导所述电信号；

所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置。

3.如权利要求2所述的桥面，其特征在于，沿所述桥面的厚度方向，所述传导元件的投影的至少部分与所述转化元件的投影重合；

将所述传导元件和所述转化元件的投影的重叠面积作为第一面积，将所述转化元件的投影面积作为第二面积，所述第一面积和所述第二面积的比值大于等于0.1，并且，小于等于0.5。

4.如权利要求2所述的桥面，其特征在于，所述传导元件和所述聚光元件的材质相同。

5.如权利要求1所述的桥面，其特征在于，所述转化元件包括：

吸收层，用于接收光信息，所述吸收层的温度与所述光信号的强度呈正相关；沿所述桥面的厚度方向，所述吸收层的投影与所述聚光元件的投影存在重叠部分；

热敏层，与所述吸收层接触，并用于与所述吸收层进行热交换；所述热敏层还用于将自身的温度信号转化为电信号。

6.如权利要求5所述的桥面，其特征在于，沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影和所述吸收层的投影存在交叉部分，或者，所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹。

7.如权利要求6所述的桥面，其特征在于，当所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹时，所述聚光元件的投影位于所述吸收层的投影的中心区域。

8.如权利要求5所述的桥面，其特征在于，所述热敏层的电阻值与所述热敏层的温度信号呈正相关或负相关。

9.如权利要求1所述的桥面，其特征在于，沿所述厚度方向，所述转化元件的投影面积作为第二面积，所述聚光元件的投影面积作为第三面积；

所述第三面积与所述第二面积的比值大于0.2，并且，小于等于0.35。

10.如权利要求1所述的桥面，其特征在于，沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影形状呈长方形，所述长方形的短边与长边的比值大于等于0.4；或者，

沿所述厚度方向，所述聚光元件的投影形状呈正方形。

11.一种像元结构，其特征在于，所述像元结构包括桥臂和如权利要求1-10中任意一项所述的桥面；

所述桥臂电连接于所述桥面的所述转化元件，并用于传导所述电信号。

12.如权利要求11所述的像元结构，其特征在于，所述桥面还包括传导元件，所述传导元件电连接于所述转化元件，并用于传导所述电信号；所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置；

所述桥臂包括第一连接元件，所述第一连接元件电连接于所述传导元件；

在形成所述转化元件的至少部分结构后，形成金属连接层；

位于所述桥臂中的、电性连接于所述传导元件的、金属连接层的部分结构作为所述第一连接元件；

位于所述桥面中的、电性连接于所述转化元件的、金属连接层的部分结构作为所述传导元件；

位于所述桥面中的、金属连接层的其他部分作为所述聚光元件，所述聚光元件和所述传导元件以及所述转化元件绝缘设置。

13.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括控制结构和至少一个如权利要求11或12所述的像元结构；

所述像元结构设置于所述控制结构的上方，并且，所述像元结构电连接于所述控制结构；所述控制结构用于接收并处理所述电信号。