[实用新型]桥面、像元结构和芯片有效
申请号: | 202220607684.1 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN217062118U | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 蒋康力;刘建华;丁金玲 | 申请(专利权)人: | 杭州海康微影传感科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0232;B81B7/02 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 潘烨 |
地址: | 311501 浙江省杭州市桐*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 桥面 结构 芯片 | ||
1.一种桥面,其特征在于,所述桥面包括:
转化元件,用于接收光信号,并用于将所述光信号转化为电信号;
聚光元件,用于吸引光信号;沿所述桥面的厚度方向,所述聚光元件投影和所述转化元件的投影存在重叠部分。
2.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,所述桥面还包括传导元件,所述传导元件电连接于所述转化元件,并用于传导所述电信号;
所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置。
3.如权利要求2所述的桥面,其特征在于,沿所述桥面的厚度方向,所述传导元件的投影的至少部分与所述转化元件的投影重合;
将所述传导元件和所述转化元件的投影的重叠面积作为第一面积,将所述转化元件的投影面积作为第二面积,所述第一面积和所述第二面积的比值大于等于0.1,并且,小于等于0.5。
4.如权利要求2所述的桥面,其特征在于,所述传导元件和所述聚光元件的材质相同。
5.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,所述转化元件包括:
吸收层,用于接收光信息,所述吸收层的温度与所述光信号的强度呈正相关;沿所述桥面的厚度方向,所述吸收层的投影与所述聚光元件的投影存在重叠部分;
热敏层,与所述吸收层接触,并用于与所述吸收层进行热交换;所述热敏层还用于将自身的温度信号转化为电信号。
6.如权利要求5所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影和所述吸收层的投影存在交叉部分,或者,所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹。
7.如权利要求6所述的桥面,其特征在于,当所述聚光元件的投影被所述吸收层的投影包裹时,所述聚光元件的投影位于所述吸收层的投影的中心区域。
8.如权利要求5所述的桥面,其特征在于,所述热敏层的电阻值与所述热敏层的温度信号呈正相关或负相关。
9.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述转化元件的投影面积作为第二面积,所述聚光元件的投影面积作为第三面积;
所述第三面积与所述第二面积的比值大于0.2,并且,小于等于0.35。
10.如权利要求1所述的桥面,其特征在于,沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影形状呈长方形,所述长方形的短边与长边的比值大于等于0.4;或者,
沿所述厚度方向,所述聚光元件的投影形状呈正方形。
11.一种像元结构,其特征在于,所述像元结构包括桥臂和如权利要求1-10中任意一项所述的桥面;
所述桥臂电连接于所述桥面的所述转化元件,并用于传导所述电信号。
12.如权利要求11所述的像元结构,其特征在于,所述桥面还包括传导元件,所述传导元件电连接于所述转化元件,并用于传导所述电信号;所述传导元件的至少部分结构与所述聚光元件同层设置;
所述桥臂包括第一连接元件,所述第一连接元件电连接于所述传导元件;
在形成所述转化元件的至少部分结构后,形成金属连接层;
位于所述桥臂中的、电性连接于所述传导元件的、金属连接层的部分结构作为所述第一连接元件;
位于所述桥面中的、电性连接于所述转化元件的、金属连接层的部分结构作为所述传导元件;
位于所述桥面中的、金属连接层的其他部分作为所述聚光元件,所述聚光元件和所述传导元件以及所述转化元件绝缘设置。
13.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括控制结构和至少一个如权利要求11或12所述的像元结构;
所述像元结构设置于所述控制结构的上方,并且,所述像元结构电连接于所述控制结构;所述控制结构用于接收并处理所述电信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海康微影传感科技有限公司,未经杭州海康微影传感科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220607684.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于安装的印刷机用纸张上料装置
- 下一篇:一种稳定可靠的地震应急装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的