[实用新型]一种基于MOS管的驱动电路有效
申请号: | 202220587624.8 | 申请日: | 2022-03-17 |
公开(公告)号: | CN216873177U | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 陈应雁 | 申请(专利权)人: | 深圳市赛元微电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850 | 代理人: | 王淼 |
地址: | 518063 广东省深圳市南山区高新区南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mos 驱动 电路 | ||
本实用新型公开了一种基于MOS管的驱动电路,涉及功率管驱动电路技术领域,包括:稳压供电模块,用于提供稳压;控制信号输入模块,用于提供控制指令;逻辑控制模块,用于输出控制信号;开关控制模块,用于调节输出的电压电位并输出驱动信号;驱动模块,用于提高驱动信号的驱动能力;串联MOS管模块,采用串联型MOS管;过流保护模块,用于检测电流信号并控制所述逻辑控制模块。本实用新型基于MOS管的驱动电路通过开关控制模块提供驱动信号,并通过开关控制模块将驱动信号的电位进行平移,有助于改善驱动电路,控制信号输入模块实现低电压控制大电压,串联MOS管模块的工作效率高,还采用过流保护模块对串联MOS管模块进行保护。
技术领域
本实用新型涉及功率管驱动电路技术领域,具体是一种基于MOS管的驱动电路。
背景技术
MOS管,原名MOSFET晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET),作为一种多功能的电压型驱动器件,在电力电子领域内有着广泛的应用,一般采用电源IC芯片等对MOS管器件进行驱动及控制,并且目前市面上的MOS管驱动大都采用单个MOS管驱动,MOS管的通态损耗较高,且开关速度较缓慢,传统的驱动电路已很难,满足需求,并且为了使基于MOS管的驱动电路能够在正常情况下运行,相关的保护电路是必不可少的,保护电路能够有效避免MOS管出现损坏,保护驱动的正常进行。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种基于MOS管的驱动电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
依据本实用新型实施例中,提供一种基于MOS管的驱动电路,该基于MOS管的驱动电路包括:稳压供电模块,控制信号输入模块,逻辑控制模块,开关控制模块,驱动模块,串联MOS管模块,过流保护模块;
所述稳压供电模块,用于提供MOS管的驱动电路所需的直流稳压;
所述控制信号输入模块,用于提供控制指令;
所述逻辑控制模块,与所述控制信号输入模块连接,用于通过逻辑运算处理输入的信号并输出控制信号;
所述开关控制模块,与所述稳压供电模块连接,与所述稳压供电模块连接,用于接收直流稳压,与所述逻辑控制模块连接,用于接收所述控制信号并调节输出的电压电位,用于输出驱动信号;
所述驱动模块,与所述开关控制模块连接,用于接收所述驱动信号并提高驱动信号的驱动能力;
所述串联MOS管模块,与所述驱动模块连接,用于接收所述驱动信号并驱动串联型MOS管工作,用于调节串联型MOS管的工作效率;
所述过流保护模块,与所述串联MOS管模块连接,用于检测所述串联MOS管模块的电流情况,与所述逻辑控制模块连接,用于将检测的电流信号传输给所述逻辑控制模块。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型基于MOS管的驱动电路通过开关控制模块可为驱动模块提供所需驱动信号,并且只需控制信号输入模块向开关控制模块输入一控制指令便可控制开关控制模块工作,开关控制模块还可将驱动信号的电位进行平移,有助于提升驱动信号的电压,实现低电压信号控制大电压信号,并采用串联型MOS管,提高MOS管的稳定性、开关速率和工作效率,还采用过流保护模块对串联MOS管进行保护,提高驱动电路的安全性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实例提供的一种基于MOS管的驱动电路的原理方框示意图。
图2为本实用新型实例提供的一种基于MOS管的驱动电路的电路图。
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