[实用新型]量子点保护结构及光色转换结构

权利要求书

1.一种量子点保护结构，其特征在于，包括水气阻隔层和亲液层，所述水气阻隔层包括交替层叠设置的第一阻隔层和第二阻隔层，所述第一阻隔层与所述第二阻隔层结构不同，所述第一阻隔层对水汽和气体的阻隔性较所述第二阻隔层强，且所述第一阻隔层的层数比所述第二阻隔层的层数多一层，所述亲液层堆叠在所述水气阻隔层位于外层的两第一阻隔层之一者上，所述水气阻隔层位于外层的两第一阻隔层之另一者用于与具有量子点的结构相贴。

2.如权利要求1所述的量子点保护结构，其特征在于，包括依次层叠的第一阻隔层、第二阻隔层、第一阻隔层、第二阻隔层、第一阻隔层、亲液层。

3.如权利要求2所述的量子点保护结构，其特征在于，所述第一阻隔层的厚度为20纳米～100纳米，所述第二阻隔层的厚度小于等于10纳米，所述亲液层的厚度为30纳米～60纳米。

4.如权利要求1所述的量子点保护结构，其特征在于，包括依次层叠的第一阻隔层、第二阻隔层、第一阻隔层、第二阻隔层、第一阻隔层、第二阻隔层、第一阻隔层、亲液层。

5.如权利要求4所述的量子点保护结构，其特征在于，所述第一阻隔层的厚度为20纳米～100纳米，所述第二阻隔层的厚度小于等于10纳米，所述亲液层的厚度为30纳米～60纳米。

6.如权利要求1所述的量子点保护结构，其特征在于，所述第一阻隔层为无机材料层，所述第二阻隔层为有机材料层。

7.如权利要求1至6任一项所述的量子点保护结构，其特征在于，所述第一阻隔层为Al₂O₃层，所述第二阻隔层为有机硅层。

8.如权利要求7所述的量子点保护结构，其特征在于，所述亲液层为SiO₂层。

9.一种光色转换结构，包括具有量子点的光色转换层和设置在所述光色转换层表面的量子点保护结构，其特征在于，所述量子点保护结构如权利要求1至8任一项所述。

10.如权利要求9所述的光色转换结构，其特征在于，所述光色转换层包括层叠设置的蓝宝石层和氮化镓层，所述氮化镓层填充有量子点，所述量子点保护结构设置在所述氮化镓层背离所述蓝宝石层的一面。