[实用新型]管状硅芯组件

说明书

本实用新型公开了一种管状硅芯组件，涉及多晶硅生产技术领域主要目的是在确保管状硅芯与电极连接的同时，避免因连接不牢固而导致倒炉现象的发生。本实用新型的主要技术方案为：管状硅芯组件，该组件包括：石墨底座、管状硅芯和横硅板；所述石墨底座的下端形成有轴向盲孔，用于套接还原炉底盘电极，所述石墨底座的上端轴侧设有外螺纹；所述管状硅芯的下端同轴连接于石墨管件，所述石墨管件设有内螺纹，所述内螺纹和所述外螺纹相互匹配，所述管状硅芯的上端固定连接于凸台；所述横硅板的两端分别设有安装孔，用于套接所述凸台。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种管状硅芯组件。

背景技术

随着光伏行业的发展，多晶硅的使用量也在逐渐增大。在生产多晶硅的生产技术中，目前改良西门子法为主要的生产方法。在生产多晶硅时，多数是利用还原炉进行多晶硅的还原生产，即通过化学气相沉积(CVD)法在硅芯的表面沉积多晶硅。

在进行多晶硅还原反应时，将硅芯插在石墨件上，石墨件安装在导电电极上；在还原炉内用硅芯搭接成若干“Π”字形结构的闭合回路，即进行“搭桥”，安装完成后，按照工艺程序进行置换、击穿、进料并进而发生气相沉积反应，反应产生的晶粒沉积在硅芯上，经过一定时间生长后形成多晶硅棒。

现有技术在搭接硅芯组件时，通常使用的硅芯为直径12mm左右的实心圆硅芯或用硅锭经线切割形成的15X15mm的方硅芯，在还原反应过程中，生成的硅不断沉积在硅芯表面，硅芯的表面积会越来越大，反应气体分子对沉积面(硅芯表面)的碰撞机会和数量也会随之增加。当单位面积的沉积速率不变时，表面积愈大则沉积的多晶硅量也愈多。因此在搭接硅芯组件时，所使用硅芯的直径越大，多晶硅的生长效率也越高。相对而言，使用大硅芯不仅可以提高多晶硅还原时的生产效率，同时也可以降低生产成本。

现有技术中大直径的实心硅芯固然可以提高还原过程的生产率，但大直径实心硅芯有以下缺点：

(1)硅芯的直径越大，其拉制也越发困难，并且在炉内一次拉制的根数也受到限制；

(2)采用大直径的实心硅芯所用硅料成倍增加，相应成本也大大增加；

(3)另外还存在搭接后击穿难度大的问题。

(4)为了提高生产效率，目前国内外均有采取的横截面为圆环形的管状硅芯替代传统的细棒，从而提高产量，但是这种管状硅芯虽然可以解决现有技术中的部分问题，但由于管状硅芯与电极连接不牢固会导致倒炉现象的发生。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种管状硅芯组件，主要目的是在确保管状硅芯与电极连接的同时，避免因连接不牢固而导致倒炉现象的发生。

为达到上述目的，本实用新型主要提供如下技术方案：

本实用新型提供了一种管状硅芯组件，该组件包括：石墨底座、管状硅芯和横硅板；

所述石墨底座的下端形成有轴向盲孔，用于套接还原炉底盘电极，所述石墨底座的上端轴侧设有外螺纹；

所述管状硅芯的下端同轴连接于石墨管件，所述石墨管件设有内螺纹，所述内螺纹和所述外螺纹相互匹配，所述管状硅芯的上端固定连接于凸台；

所述横硅板的两端分别设有安装孔，用于套接所述凸台。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选的，所述凸台的中心设有第一排气孔。

可选的，所述石墨底座的轴侧设有径向排气孔。

可选的，所述石墨底座的上端设有第二排气孔。

可选的，所述凸台为锥形台，所述安装孔为锥形孔。