[实用新型]一种TOPCon电池有效
| 申请号： | 202220278840.4 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN217280796U | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨睿;冯志强 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 边人洲 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种TOPCon电池，其特征在于，所述TOPCon电池包括依次层叠设置的电极层、至少一层氮化硅层、钝化层、掺杂层、硅基底、隧穿氧化层、第一本征多晶硅层、掺杂多晶硅层、含硅层、至少一层氮化硅层和电极层；
所述含硅层为第二本征多晶硅层或氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述含硅层为第二本征多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述掺杂层为硼掺杂层。
4.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述钝化层为氧化铝层。
5.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述第一本征多晶硅层和含硅层的厚度分别独立地小于掺杂多晶硅层的厚度。
6.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述第一本征多晶硅层与掺杂多晶硅层的厚度比为1:(3-4)。
7.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述含硅层与掺杂多晶硅层的厚度比为1:(3-4)。
8.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度为50-150nm。
9.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述电极层包括至少一个金属电极。
10.根据权利要求9所述的TOPCon电池，其特征在于，所述金属电极为银电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
