[实用新型]一种紫外线照射装置有效
申请号: | 202220250842.2 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN216849866U | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 张志劼;龚荟卓 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 钟玉敏 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外线 照射 装置 | ||
本实用新型提供了一种紫外线照射装置,用于对晶圆的表面进行照射,包括:灯箱,所述灯箱具有一内腔,且所述灯箱的一面具有贯通所述内腔的通孔;环形灯组,位于所述内腔中,包括至少一个面向所述通孔的紫外灯管,所有所述紫外灯管至少构成一个环形。由于所述环形灯组各处发出的紫外线的强度均匀,使用所述环形灯组对晶圆上的氮化硅膜层进行照射,使所述氮化硅膜层应力具有良好的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种紫外线照射装置。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中常用紫外线对膜层进行处理,例如,采用紫外线照射化学气相沉积形成的氮化硅膜层以进行应力调整、低介电常数材料的性能改善以及干法刻蚀后膜层的损伤修复等。例如:高应力氮化硅沉积设备在晶圆上生成氮化硅膜层后,会通过紫外线照射装置对氮化硅薄膜进行紫外线照射,以改善氮化硅薄膜的应力,形成高应力氮化硅薄层。但现有的紫外线照射装置存在紫外线强度不均匀的问题,会影响氮化硅膜层应力的均匀性,进而影响半导体器件的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种紫外线照射装置,提高氮化硅膜层应力的均匀性。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种紫外线照射装置,用于对晶圆的表面进行照射,包括:
灯箱,所述灯箱具有一内腔,且所述灯箱的一面具有贯通所述内腔的通孔;环形灯组,位于所述内腔中,包括至少一个面向所述通孔的紫外灯管,所有所述紫外灯管至少构成一个环形。
可选的,所述紫外线照射装置还包括:
灯罩,所述灯罩可拆卸安装在所述通孔内。
可选的,所述环形灯组包括至少一个环形的所述紫外灯管,当所述紫外灯管具有至少两个时,所有所述紫外灯管构成同心圆环。
可选的,所述紫外线照射装置还包括:
灯架,用于支撑所述紫外灯管。
可选的,所述环形灯组包括至少两个圆弧形的所述紫外灯管,所有所述紫外灯管沿周向均匀分布。
可选的,所述紫外线照射装置还包括:
灯架,用于支撑所述紫外灯管并驱动所有所述紫外灯管同步旋转。
可选的,所述紫外灯管的旋转中心与所述通孔的中心等高。
可选的,每个所述紫外灯管的功率均相同。
可选的,所述紫外线照射装置还包括:
晶圆支撑架,位于所述灯箱外,且设置于所述灯箱具有所述通孔一面的外壁上,且所述晶圆支撑架的上表面低于所述通孔的下边缘。
可选的,所述晶圆具有相对的正面和背面,所述晶圆的正面形成有氮化硅薄膜,所述晶圆的背面放置在所述晶圆支撑架上。
本实用新型提供了一种紫外线照射装置,用于对晶圆的表面进行照射,所述紫外线照射装置包括:灯箱,所述灯箱具有一内腔,且所述灯箱的一面具有贯通所述内腔的通孔;环形灯组,位于所述内腔中,包括至少一个面向所述通孔的紫外灯管,所有所述紫外灯管至少构成一个环形。由于所述环形灯组各处发出的紫外线的强度均匀,使用所述环形灯组对晶圆上的氮化硅膜层进行照射,使所述氮化硅膜层应力具有良好的均匀性。
附图说明
图1为一种紫外线照射装置的结构示意图;
图2为图1所示紫外线照射装置照射后的晶圆上氮化硅膜层的应力分布图像;
图3为本实用新型实施例一提供的一种紫外线照射装置的结构示意图;
图4为本实用新型实施例一提供的一种紫外线照射装置的侧视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造