[实用新型]一种颗粒物去除装置及外延设备

说明书

本公开提供一种颗粒物去除装置及外延设备，所述颗粒物去除装置包括排气通道，与所述炉体内腔相通，所述排气通道包括并联的排气管路和抽气管路，其中所述抽气管路上设有用于从所述炉体内腔抽气的真空泵和用于控制所述抽气管路通断状态的第一阀门。本公开实施例提供的颗粒物去除装置及外延设备能够改善外延炉内颗粒物影响，且不会降低设备稼动率，不影响产能。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种颗粒物去除装置及外延设备。

背景技术

硅外延工艺是半导体芯片制造中的重要工艺。硅外延工艺目的是在单晶硅衬底上通过气相沉积或液相沉积等方法生长出一层高质量的硅单晶层，且具有电阻率、厚度可控、无COP缺陷、无氧沉淀等诸多优点。其中在实际工业生产过程中，气相沉积使用最为广泛。

气相外延沉积基本原理为：氢气携带硅源气体四氯化硅或三氯氢硅、硅烷或二氯氢硅等，进入放置有单晶硅衬底的反应腔室(Reactor)中，在高温环境下进行化学反应，使硅源气体被氢气还原为硅单质，硅单质在衬底表面进行外延生长，同时通过不同掺杂剂使外延层电阻率得到有效控制。

在硅外延生产过程中，颗粒物(Particle)对膜层质量影响巨大，严重影响产品良率，大大提高生产成本。设备内颗粒物的来源主要包括以下四类：1)设备维护过程中作业带入颗粒物；2)备品备件上自带的颗粒物；3)气体纯度不够，自身携带颗粒物；4)设备生产维护(PM)后后复机时部件内部水汽与硅源气体产反应产生的颗粒状副产物。

对于以上四类来源中的前三类可通过作业手法优化、备品备件输入管控以及气体纯化等方案进行改善。针对以上四类来源中的前第四类，涉及当前外延炉复机方案，当前外延炉生产维护(PM)后复机一般通过吹扫去除工艺腔内部件表面颗粒物，通过烘烤去除部件表面及内部含有的水汽。但是，由于石墨基座本身的微观结构为酥松孔状，表面积大，水汽难以完全去除，在复机后期通入硅源气体时，易反应生成SiO₂颗粒沉淀。

在相关技术中，通过在化学气相沉积生长之前特殊的反应室清洁、气体吹扫和氯化氢辅助烘烤程序，降低外延生长过程中，反应室腔室内颗粒掉落的几率，降低了碳化硅外延片表面的颗粒缺陷密度。但在实际生产过程中，开腔清洁会降低设备稼动率，影响产能；且开腔进行处理，虽然能够去除腔室部件表面的颗粒物，但在后续复机过程中因水汽与硅源气体反应产生的颗粒物沉淀无有效应对措施，新产生的颗粒物仍然会存在于设备内。

实用新型内容

本公开实施例提供了一种颗粒物去除装置及外延设备，能够改善外延炉内颗粒物影响，且不会降低设备稼动率，不影响产能。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

一种颗粒物去除装置，用于去除外延炉内的颗粒物，所述外延炉包括炉体，其特征在于，所述外延炉的颗粒物去除装置包括

与所述炉体内腔相通的排气通道，所述排气通道包括并联的排气管路和抽气管路，其中所述抽气管路上设有用于从所述炉体内腔抽气的真空泵和用于控制所述抽气管路通断状态的第一阀门。

示例性的，所述排气通道包括进气端和排气端，所述排气管路和所述抽气管路连通在所述进气端与所述排气端之间，且在所述排气端设有尾气处理组件。

示例性的，所述第一阀门包括第一电磁阀。

示例性的，所述排气管路上设有用于控制所述排气通道通断状态的第二阀门。

示例性的，所述第二阀门包括第二电磁阀。

示例性的，所述颗粒物去除装置还包括控制器，所述控制器与所述第一阀门和所述真空泵连接，用于在所述外延炉复机后所述进气通道打开时，控制所述第一阀门打开所述抽气管路且所述真空泵启动。

示例性的，所述真空泵包括干式真空泵。

一种外延设备，包括：