[实用新型]一种移动电源

权利要求书

1.一种移动电源，其特征在于，所述移动电源包括主电路板、第一放电口、第二放电口和第三放电口；所述主电路板上设置有第一控制模块、充放电管理芯片和扩展电路；

所述第一控制模块与所述充放电管理芯片连接，所述充放电管理芯片包括第一电压输出引脚和第二电压输出引脚；

所述第一放电口与所述第一电压输出引脚连接；所述第二放电口与所述第二电压输出引脚连接；所述第三放电口通过所述扩展电路与所述第二电压输出引脚连接。

2.根据权利要求1所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路包括，场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2、场效应晶体管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4；

所述场效应晶体管Q1的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的栅极连接，所述场效应晶体管Q2的源极与所述第二电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q2的漏极与所述第三放电口的电源管脚连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地；

所述电阻R1的一端与所述主电路板提供的第一电压端连接，所述场效应晶体管Q1的栅极与所述电阻R1的另一端连接，所述电阻R1的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地；

所述场效应晶体管Q3的源极与所述主电路板提供的第二电压端连接，所述场效应晶体管Q3的栅极与所述场效应晶体管Q1的漏极连接，所述场效应晶体管Q3的漏极与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极。

3.根据权利要求2所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电压检测电路，所述电压检测电路包括电阻R5和电容C1；

所述电阻R5的一端与所述场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的移动电源，其特征在于，所述电容C1的一端与所述第一控制模块连接。

5.根据权利要求2所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电流检测电路，所述电流检测电路包括电阻R6，所述电阻R6的一端与所述第三放电口的接地管脚连接，所述电阻R6的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的移动电源，其特征在于，所述电阻R6的一端与所述第一控制模块连接。

7.根据权利要求5所述的移动电源，其特征在于，所述电流检测电路还包括，电阻R7和电容C3；

所述电阻R7的一端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述电容C3的一端连接，所述电容C3的另一端接地；

所述电容C3的一端与所述第一控制模块连接。

8.根据权利要求2至7任一项所述的移动电源，其特征在于，所述扩展电路还包括电容C2，电容C2的一端与所述场效应晶体管Q2的漏极连接，另一端接地。

9.根据权利要求2至7任一项所述的移动电源，其特征在于，所述移动电源还包括转换电路，所述第一放电口通过所述转换电路与所述第一电压输出引脚连接。

10.根据权利要求9所述的移动电源，其特征在于，所述转换电路包括第二控制模块、解密芯片和场效应晶体管Q4；

所述解密芯片与所述第二控制模块连接，所述解密芯片与所述第一放电口的识别控制管脚连接；

所述场效应晶体管Q4的栅极与所述第二控制模块连接，所述场效应晶体管Q4的源极与所述第一电压输出引脚连接，所述场效应晶体管Q4的漏极与所述第一放电口的电源管脚连接；

所述第一放电口的配置通道管脚与所述第二控制模块和所述主电路板提供的配置通道信号端口连接。