[实用新型]承载装置有效
申请号: | 202220122914.5 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN217214678U | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 张龙;方一;陈鲁;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 陈文斌 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
本实用新型公开一种承载装置,所述承载装置用于承载晶圆,承载装置包括承载主体和定位件,定位件安装于承载主体,承载主体设有吸附通道和吸附孔,吸附通道贯穿承载主体内部设置并与吸附孔相通,述承载主体表面设有保护膜层。本实用新型技术方案通过抽取吸附通道内的空气的方式,使晶圆吸附在承载主体上,并在承载主体表面铺设一层保护膜层,以防止承载主体的材料挥发成金属离子,减少污染晶圆的现象出现,从而保障了晶圆的检测精准度。
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种承载装置。
背景技术
晶圆在生产、检测过程中,通常需要承载装置对晶圆进行承载,从而方便放置晶圆。当在晶圆表面进行检测时,由于检测设备通常采用非接触的方式进行检测,并且通常采用激光作为光源,对晶圆的表面进行照射,容易使承载装置的表面材料产生逸散,从而造成对晶圆表面的污染,影响对晶圆的检测结果。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种承载装置,旨在解决承载装置的表面材料产生逸散、影响晶圆检测结果的问题。
为实现上述目的,本实用新型提出的承载装置,所述承载装置用于承载晶圆,所述承载装置包括承载主体和定位件,所述定位件安装于所述承载主体,所述承载主体设有吸附通道和吸附孔,所述吸附通道贯穿所述承载主体内部设置并与所述吸附孔相通,所述承载主体表面设有保护膜层。
可选地,所述保护膜层为类金刚石膜或致密氧化铝膜层。
可选地,多个所述吸附通道相互交叉连通。
可选地,所述承载主体的底部设有供所述定位件插接的安装孔,所述安装孔位于所述承载主体圆心处,并连通多个所述吸附通道。
可选地,所述承载主体包括内底面和内侧壁,所述定位件设有台阶部和凸台部,所述台阶部与所述凸台部固定连接,所述台阶部与所述内侧壁相抵接,所述凸台部与所述内底面具有间隙,以连通多个所述吸附通道。
可选地,所述承载主体设有多个穿孔,多个所述穿孔与所述吸附通道错开设置,多个所述穿孔呈环形分布。
可选地,所述定位件设有定位孔,所述定位孔与所述间隙、多个所述吸附通道连通。
可选地,所述承载主体的底部设有多个限位凹槽,多个所述限位凹槽以所述吸附通道为对称轴对称设置。
可选地,所述承载主体上均匀分布有多个凸点,多个所述凸点呈环形分布。
可选地,所述承载装置的材质为氧化铝陶瓷。
本实用新型的承载装置用于承载晶圆,承载装置包括承载主体和定位件,定位件安装于承载主体,承载主体设有吸附通道和吸附孔,吸附通道贯穿承载主体内部设置并与吸附孔相通,述承载主体表面设有保护膜层。本实用新型技术方案通过抽取吸附通道内的空气的方式,使晶圆吸附在承载主体上,并在承载主体表面铺设一层保护膜层,以防止承载主体的材料挥发成金属离子,减少污染晶圆的现象出现,从而保障了晶圆的检测精准度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型承载装置一实施例的结构示意图;
图2为本实用新型承载装置一实施例剖视图;
图3为图2中A处的局部放大图;
图4为本实用新型承载装置在另一视角下一实施例的结构示意图。
附图标号说明:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造