[实用新型]单平衡混频器、芯片及电子设备

说明书

本实用新型提供一种单平衡混频器、芯片及电子设备。所述单平衡混频器包括跨导级、本振开关级、负载级和电荷吸收单元，其中：所述跨导级的输出端与所述本振开关级的第一信号输入端相连，所述本振开关级的输出端与所述负载级的输入端相连；所述电荷吸收单元与所述本振开关级的第二信号输入端相连，用于吸收所述本振开关级的干扰电荷。所述单平衡混频器具有较低的本振泄漏。

技术领域

本实用新型属于混频器领域，涉及一种单平衡混频器、芯片及电子设备。

背景技术

混频器是输出信号频率等于两输入信号频率之和、差或为两者其他组合的电路。常用的混频器包括单平衡混频器和双平衡混频器，其中，单平衡混频器具有结构简单以及功耗低等优点，在无线通信系统中得到了广泛应用。

通常情况下，混频器具有两个信号输入端和一个输出端，其中，一个信号输入端用于输入待处理信号，另一个信号输入端用于输入本振信号。本振信号的存在会导致混频器出现本振泄漏的问题，从而影响下一阶段的信号处理，而相对于双平衡混频器来说，单平衡混频器中的本振泄漏问题更加严重。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的之一在于提供一种单平衡混频器、芯片及电子设备，用于解决现有单平衡混频器中本振泄漏严重的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型的第一方面提供一种单平衡混频器，所述单平衡混频器包括跨导级、本振开关级、负载级和电荷吸收单元，其中：所述跨导级的输出端与所述本振开关级的第一信号输入端相连，所述本振开关级的输出端与所述负载级的输入端相连；所述电荷吸收单元与所述本振开关级的第二信号输入端相连，用于吸收所述本振开关级的干扰电荷。

于所述第一方面的一实施例中，所述本振开关级包括差分对管，所述差分对管中各晶体管的输入端与所述跨导级的输出端相连，所述差分对管中各晶体管的输出端与所述负载级的输入端相连，所述差分对管中各晶体管的第三端与所述电荷吸收单元相连。

于所述第一方面的一实施例中，所述差分对管包括第一MOS管和第二MOS管。

于所述第一方面的一实施例中，所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极与所述跨导级的输出端相连，所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极与所述负载级的输入端相连，所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极与所述电荷吸收单元相连。

于所述第一方面的一实施例中，所述电荷吸收单元包括：第一电荷生成电路，与所述第一MOS管的栅极相连，用于产生与所述第一MOS管的栅极电荷极性相反的第一电荷；第二电荷生成电路，与所述第二MOS管的栅极相连，用于产生与所述第二MOS管的栅极电荷极性相反的第二电荷。

于所述第一方面的一实施例中，所述电荷吸收单元包括第三MOS管和第四MOS管，其中：所述第三MOS管的源极和漏极与所述第一MOS管的漏极相连，所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极相连；所述第四MOS管的源极和漏极与所述第二MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的栅极与所述第一MOS管的栅极相连。

于所述第一方面的一实施例中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管均为N沟道MOS管；或者所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管均为P沟道MOS管。

于所述第一方面的一实施例中，所述单平衡混频器还包括振荡器，所述振荡器的输出端与所述本振开关级的第二信号输入端相连。

本实用新型的第二方面提供一种芯片，所述芯片包括本实用新型第一方面任一项所述的单平衡混频器。

本实用新型的第三方面提供一种电子设备，所述电子设备包括本实用新型第一方面任一项所述的单平衡混频器。

如上所述，本实用新型一个或多个实施例中所述的单平衡混频器、芯片及电子设备具有以下有益效果：