[实用新型]单平衡混频器、芯片及电子设备有效
| 申请号： | 202220066033.6 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN216774718U | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘锐强 | 申请（专利权）人： | 南京金阵微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03D3/14 | 分类号： | H03D3/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王国祥 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平衡混频器 芯片 电子设备 | ||
1.一种单平衡混频器，其特征在于，所述单平衡混频器包括跨导级、本振开关级、负载级和电荷吸收单元，其中：
所述跨导级的输出端与所述本振开关级的第一信号输入端相连，所述本振开关级的输出端与所述负载级的输入端相连；
所述电荷吸收单元与所述本振开关级的第二信号输入端相连，用于吸收所述本振开关级的干扰电荷。
2.根据权利要求1所述的单平衡混频器，其特征在于：所述本振开关级包括差分对管，所述差分对管中各晶体管的输入端与所述跨导级的输出端相连，所述差分对管中各晶体管的输出端与所述负载级的输入端相连，所述差分对管中各晶体管的第三端与所述电荷吸收单元相连。
3.根据权利要求2所述的单平衡混频器，其特征在于：所述差分对管包括第一MOS管和第二MOS管。
4.根据权利要求3所述的单平衡混频器，其特征在于：所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极与所述跨导级的输出端相连，所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极与所述负载级的输入端相连，所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极与所述电荷吸收单元相连。
5.根据权利要求4所述的单平衡混频器，其特征在于，所述电荷吸收单元包括：
第一电荷生成电路，与所述第一MOS管的栅极相连，用于产生与所述第一MOS管的栅极电荷极性相反的第一电荷；
第二电荷生成电路，与所述第二MOS管的栅极相连，用于产生与所述第二MOS管的栅极电荷极性相反的第二电荷。
6.根据权利要求4所述的单平衡混频器，其特征在于，所述电荷吸收单元包括第三MOS管和第四MOS管，其中：
所述第三MOS管的源极和漏极与所述第一MOS管的漏极相连，所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极相连；
所述第四MOS管的源极和漏极与所述第二MOS管的漏极相连，所述第四MOS管的栅极与所述第一MOS管的栅极相连。
7.根据权利要求6所述的单平衡混频器，其特征在于：
所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管均为N沟道MOS管；或者
所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管均为P沟道MOS管。
8.根据权利要求1所述的单平衡混频器，其特征在于：所述单平衡混频器还包括振荡器，所述振荡器的输出端与所述本振开关级的第二信号输入端相连。
9.一种芯片，其特征在于：所述芯片包括权利要求1-8任一项所述的单平衡混频器。
10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求1-8任一项所述的单平衡混频器。
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