[实用新型]紫外单光子探测器

权利要求书

1.一种紫外单光子探测器，包括SiC衬底及设置在SiC衬底上的外延结构，所述外延结构自上而下包括接触层、第一过渡层、i雪崩倍增层和第二过渡层，所述接触层及所述SiC衬底的表面均设有欧姆接触电极，其特征在于，所述i雪崩倍增层的厚度范围在1.5-3μm。

2.根据权利要求1所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述接触层为p+接触层，所述第一过渡层为p型过渡层，所述第二过渡层为n+过渡层。

3.根据权利要求2所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述p+接触层的厚度范围为0.1-0.3μm，所述p型过渡层的厚度范围为0.1-0.3μm，所述n+过渡层的厚度为1-5μm。

4.根据权利要求1所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述接触层为n+接触层，所述第一过渡层为n型过渡层，所述第二过渡层为p+过渡层。

5.根据权利要求4所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述n+接触层的厚度范围为0.1-0.3μm，所述n型过渡层的厚度范围为0.1-0.3μm，所述p+过渡层的厚度范围为1-5μm。

6.根据权利要求1所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述欧姆接触电极的厚度范围为100-300nm，所述欧姆接触电极由镍制成。

7.根据权利要求1所述的紫外单光子探测器，其特征在于，器件蚀刻有倾斜台面。

8.根据权利要求7所述的紫外单光子探测器，其特征在于，所述倾斜台面的角度小于等于10°。

9.根据权利要求1所述的紫外单光子探测器，其特征在于，上表面还设有钝化层。