[发明专利]一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法

说明书

本发明公开了一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法，包括储液箱、集液盒、限位框，所述储液箱的顶板上放置有第一量杯和第二量杯，所述储液箱的左右侧板之间插装有混液管，所述限位框的顶面上安装有气缸，所述气缸的伸缩杆连接升降板，所述升降板上开设有插孔，所述插孔内插装有撞击件，所述限位框的左侧设置有金属板，所述金属板上放置有电磁铁和底座，所述底座的顶端螺装有滑轨，所述滑轨上放置有滚珠，所述撞击件的一端面上插接有撞杆。该高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法，利用电磁铁接电形成梯度磁场，使滚珠在滑轨上加速滚动，对撞击件产生巨大冲击力，撞击件快速穿过混液管，使管内溶液快速混合，利用混液管与管套配合。

技术领域

本发明涉及硅片蚀刻溶剂生产相关技术领域，具体为一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法。

背景技术

蚀刻，是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

目前在配置蚀刻溶剂时，通常采用转动搅拌叶使液体混合，但是由于蚀刻溶剂中的成分在混合会产生化学反应，随着反应的进行溶液温度发生改变，而且部分成分容易挥发，而搅拌混合效率低、效果差，从而影响配置溶剂的质量。

发明内容

本发明为了弥补市场空白，提供了一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法。

本发明的目的在于提供一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法，以解决上述背景技术中提出的目前在配置蚀刻溶剂时，通常采用转动搅拌叶使液体混合，但是由于蚀刻溶剂中的成分在混合会产生化学反应，随着反应的进行溶液温度发生改变，而且部分成分容易挥发，而搅拌混合效率低、效果差，从而影响配置溶剂的质量问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：第一方面，一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，包括储液箱、集液盒、限位框，

所述储液箱的顶板上放置有第一量杯 和第二量杯，所述储液箱的左右侧板之间插装有混液管，所述第一量杯 和所述第二量杯的底端熔接有长导管和短导管，所述集液盒的内部设置有过滤室和收集槽，所述过滤室的内壁上卡装有防护板，所述收集槽的开口处固定有滤网，所述限位框的顶面上安装有气缸，所述气缸的伸缩杆连接升降板，所述升降板上开设有插孔，所述插孔内插装有撞击件，所述限位框的左侧设置有金属板，所述金属板上放置有电磁铁和底座，所述底座的顶端螺装有滑轨，所述滑轨上放置有滚珠，所述混液管的侧壁上开设有透液孔，所述混液管上套装有管套，所述管套的外侧面与转动辊啮合在一起，所述转动辊的两端插装有转轴，所述撞击件的一端面上插接有撞杆，所述撞击件的外壁上开设有螺旋槽。

进一步的，所述储液箱的顶板内壁上熔接有挡板，所述储液箱的内部形成储液室，所述挡板靠近长导管，所述长导管的底端插入混液管，所述短导管的底端连通储液室。

进一步的，所述储液箱的左侧板上卡接有限位框，所述储液箱的右侧板与集液盒相抵，所述集液盒的前侧面底端安装有水泵，所述水泵的进料端连通收集槽，所述水泵的出料端接入输液管，所述输液管的另一端穿过储液箱插入混液管。

进一步的，所述收集槽连通过滤室，所述过滤室的开口朝向所述混液管，所述集液盒和所述混液管的交界处设置有封膜，所述封膜为一次性油纸材质。

进一步的，所述限位框的内壁与所述升降板相接，所述限位框的高度大于所述升降板的高度，所述升降板的顶板上插装有导向杆，所述导向杆的顶端贯穿限位框的顶板。

进一步的，所述升降板的左右两面分别与滑轨和混液管相接触，所述滑轨两侧的金属板上对称放置有两排电磁铁，所述电磁铁通过接电线连接接电棒。