[发明专利]一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备及制备方法

权利要求书

1.一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，包括储液箱（1）、集液盒（2）、限位框（3），其特征在于：

所述储液箱（1）的顶板上放置有第一量杯（11） 和第二量杯（12），所述储液箱（1）的左右侧板之间插装有混液管（8），所述第一量杯（11） 和所述第二量杯（12）的底端熔接有长导管（14）和短导管（13），所述集液盒（2）的内部设置有过滤室（24）和收集槽（26），所述过滤室（24）的内壁上卡装有防护板（23），所述收集槽（26）的开口处固定有滤网（25），所述限位框（3）的顶面上安装有气缸（63），所述气缸（63）的伸缩杆连接升降板（6），所述升降板（6）上开设有插孔（61），所述插孔（61）内插装有撞击件（9），所述限位框（3）的左侧设置有金属板（4），所述金属板（4）上放置有电磁铁（41）和底座（52），所述底座（52）的顶端螺装有滑轨（5），所述滑轨（5）上放置有滚珠（51），所述混液管（8）的侧壁上开设有透液孔（82），所述混液管（8）上套装有管套（73），所述管套（73）的外侧面与转动辊（7）啮合在一起，所述转动辊（7）的两端插装有转轴（71），所述撞击件（9）的一端面上插接有撞杆（91），所述撞击件（9）的外壁上开设有螺旋槽（94）。

2.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述储液箱（1）的顶板内壁上熔接有挡板（16），所述储液箱（1）的内部形成储液室（15），所述挡板（16）靠近长导管（14），所述长导管（14）的底端插入混液管（8），所述短导管（13）的底端连通储液室（15）。

3.根据权利要求2所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述储液箱（1）的左侧板上卡接有限位框（3），所述储液箱（1）的右侧板与集液盒（2）相抵，所述集液盒（2）的前侧面底端安装有水泵（21），所述水泵（21）的进料端连通收集槽（26），所述水泵（21）的出料端接入输液管（22），所述输液管（22）的另一端穿过储液箱（1）插入混液管（8）。

4.根据权利要求3所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述收集槽（26）连通过滤室（24），所述过滤室（24）的开口朝向所述混液管（8），所述集液盒（2）和所述混液管（8）的交界处设置有封膜（81），所述封膜（81）为一次性油纸材质。

5.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述限位框（3）的内壁与所述升降板（6）相接，所述限位框（3）的高度大于所述升降板（6）的高度，所述升降板（6）的顶板上插装有导向杆（62），所述导向杆（62）的顶端贯穿限位框（3）的顶板。

6.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述升降板（6）的左右两面分别与滑轨（5）和混液管（8）相接触，所述滑轨（5）两侧的金属板（4）上对称放置有两排电磁铁（41），所述电磁铁（41）通过接电线（42）连接接电棒（43）。

7.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述转动辊（7）的长度大于所述管套（73）的长度，所述转动辊（7）左端的转轴（71）贯穿挡板（16），所述转动辊（7）右端的转轴（71）贯穿储液箱（1），所述转轴（71）转动连接电机（72）。

8.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述混液管（8）的内部形成有内腔（83），所述内腔（83）连通透液孔（82），所述透液孔（82）靠近所述集液盒（2），所述混液管（8）与插孔（61）共轴。

9.根据权利要求1所述的一种高纯石英硅片蚀刻溶剂配置设备，其特征在于：所述撞杆（91）套接在连杆（93）上，所述连杆（93）的另一端熔接抵球（95），所述撞杆（91）和所述抵球（95）之间连杆（93）上环绕有弹簧（92）。

10.一种高纯石英硅片蚀刻溶剂制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将浓度为60-80g/L氢氧化物水溶液注入储液室（15），将少量添加剂投入储液室（15），转动辊（7）带动管套（73）转动进行搅拌；

S2、管套（73）沿混液管（8）移动使透液孔（82）露出，适量溶液进入内腔（83）后封闭透液孔（82），从第一量杯（11） 向混液管（8）内加满金属酸盐和金属羟基化合物的水溶液；

S3、在滑轨（5）上放置滚珠（51），电磁铁（41）接电后滚珠（51）加速冲向撞击件（9）， 撞击件（9）快速通过混液管（8），实现溶液混合；

S4、将步骤S3中的混合液重新注入混液管（8），同时更换撞击件（9）再次进行撞击。