[发明专利]一种存储器的操作方法

权利要求书

1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括相互垂直排布的字线、位线及位于字线与位线之间阵列排布的存储单元，所述存储单元包括串联的OTS选通管和电容，OTS选通管具有阈值开启电压V_th和保持电压V_hold，所述操作方法包括如下步骤：

(1)实时接收外部控制器发来的操作指令，所述操作指令包括被选中存储单元的位置信息和操作指令类型信息，所述操作指令类型信息包括写入状态1操作、写入状态0操作和刷新操作，所述刷新操作为外部控制器定时对存储器发出的刷新指令，刷新周期为T；

(2)根据所述操作指令中的操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，若接收到的操作指令类型信息为写入状态1操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为写入状态0操作，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压；若接收到的操作指令类型信息为刷新操作，则执行步骤(3)；

(3)对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压，并检测所述被选中存储单元是否存在电流，若不存在电流，则先对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压，再对被选中存储单元施加一个周期的写入状态1的操作电压；若存在电流，则对被选中存储单元施加一个周期的写入状态0的操作电压。

2.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，写入状态1的操作电压为向被选中存储单元所在位线上施加一个周期的电压V_S，向被选中存储单元所在字线上施加一个周期的电压-V_S；写入状态0的操作电压为向被选中存储单元所在位线上施加一个周期的电压-V_S，向被选中存储单元所在字线上施加一个周期的电压V_S。

3.根据权利要求2所述的存储器的操作方法，其特征在于，电压V_S取值为：

4.根据权利要求3所述的存储器的操作方法，其特征在于，写入操作中有效的状态1的电容电压为2V_S-V_th～2V_S-V_hold，写入操作中有效的状态0的电容电压为-|2V_S-V_hold|～-|2V_S-V_th|。

5.根据权利要求3所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述刷新周期T小于存储单元中电容上的电压下降到失效电压2V_S-V_th所用的时间T_invalid。

6.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述刷新操作在执行定时刷新操作时，一次对一整行的存储单元进行刷新，不相邻层的存储单元同时进行刷新。

7.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器为二维存储器或三维存储器。

8.根据权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述操作指令中被选中存储单元的位置信息包括按位、整行、整列或矩阵位置信息。