[发明专利]一种Co/氧化物介质混合键合方法在审
| 申请号： | 202211730055.9 | 申请日： | 2022-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116072604A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王晨曦;戚晓芸;马岩;牛帆帆;田艳红 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 闵业冰 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 co 氧化物 介质 混合 方法 | ||
1.一种Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，包括：
步骤S1、将含有Co电极和氧化物介质的样品进行多元等离子活化处理，得到待键合样品，其中，所述多元等离子活化处理使用的等离子气体包括至少三种气体；
步骤S2、将所述待键合样品对准贴合后进行热压键合，得到Co/氧化物介质混合键合样品。
2.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述多元等离子活化处理使用的等离子气体至少包括非反应型气体Ar、NH3和H2O。
3.根据权利要求2所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述多元等离子活化处理包括：将所述含有Co电极和氧化物介质的样品经Ar、NH3、H2O混合等离子体表面活化处理。
4.根据权利要求2所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述多元等离子活化处理包括：将所述含有Co电极和氧化物介质的样品经NH3、H2O混合等离子体表面活化处理，然后再经Ar离子体活化处理。
5.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述多元等离子活化处理时间为0.5-5min，气压为0.3-0.9mbar。
6.根据权利要求2所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述等离子气体中Ar、NH3和H2O的体积比为2：1：1-1：2.5：2.5。
7.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述热压键合的压强为0.1-2MPa，时间为1-120min。
8.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述热压键合过程中环境的真空度为10-4-10mbar。
9.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述热压键合的温度为150-300℃。
10.根据权利要求1所述的Co/氧化物介质混合键合方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述氧化物介质包括微电子常用氧化物介质热氧化硅、单晶二氧化硅和TEOS中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211730055.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
