[发明专利]一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法

说明书

本发明涉及一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法，步骤包括：S1、对所述高纯钛残靶进行氢化处理，得氢化钛；S2、对所述氢化钛进行脱氢处理，即得所述氢化脱氢钛粉；其中，所述氢化处理包括：S1‑1、将氢化装置内抽真空至气压低于1Pa后，以50℃/h‑150℃/h升温至350℃‑450℃，并通入氢气至气压为1.05atm‑1.2atm；S1‑2、氢化处理结束后，维持氢化装置内气压为正，并冷却至室温；其中，所述脱氢处理包括：S2‑1、将脱氢装置内抽真空至气压低于1Pa后，以100℃/h‑200℃/h升温至550℃‑650℃；S2‑2、脱氢处理结束后，通入氩气，并冷却至室温。本发明的方法通过氢化将残靶中的高纯钛去除，能够批量化生产，流程较短，不易污染，经济效益明显；同时，氢化脱氢钛粉的纯度高于99.99％。

技术领域

本发明涉及氢化脱氢技术领域，尤其涉及一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法。

背景技术

半导体残靶的溅射面残留有较多的高纯金属，但是这些残靶多与背板相结合，而由于半导体靶材的特殊加工工艺，这些溅射材料与铝或铜制的背板结合紧密，去除常采用有机加工法或热挤压法，耗时耗力的同时，损耗与污染极高，如此不利于回收物料的进一步利用。

氢化脱氢法是利用钛金属的特性，在一定温度下将海绵钛或钛削与氢气剧烈反应，当钛金属中氢元素的质量分数达到2.3％以上时，将形成一种质地较脆且易于破碎的钛块，再经球磨以后，即可得到颗粒细小的氢化钛粉；氢化钛粉在脱氢装置中，升温至600℃以上，将钛粉中的氢大部分除去，而得到钛粉。由于氢化效率较低，中间品容易结块等原因难以克服，氢化脱氢法很少使用板条作为原料。

因此，亟需一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的不足，提供一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案是：

提供一种高纯钛残靶制备氢化脱氢钛粉的方法，步骤包括：

S1、对所述高纯钛残靶进行氢化处理，得氢化钛；

S2、对所述氢化钛进行脱氢处理，即得所述氢化脱氢钛粉；

其中，所述氢化处理包括：

S1-1、将氢化装置内抽真空至气压低于1Pa后，以50℃/h-150℃/h升温至350℃-450℃，并通入氢气至气压为1.05atm-1.2atm；

S1-2、氢化处理结束后，维持氢化装置内气压为正，并冷却至室温；

其中，所述脱氢处理包括：

S2-1、将脱氢装置内抽真空至气压低于1Pa后，以100℃/h-200℃/h升温至550℃-650℃；

S2-2、脱氢处理结束后，通入氩气，并冷却至室温。

优选地，步骤还包括：S0、对所述高纯钛残靶进行预处理。

优选地，所述预处理包括：表面处理或/和烘干处理。

优选地，所述氢化处理结束的标志为所述氢化装置内气压不再降低。

优选地，步骤S2还包括：S2-0、对所述氢化钛依次进行剥离处理以及破碎处理。

优选地，所述剥离处理包括：将所述氢化钛自所述高纯钛残靶的背板上剥离。

优选地，所述破碎处理包括：将破碎装置内抽真空并通入氩气后，对剥离下的所述氢化钛进行破碎。

优选地，所述脱氢处理自550℃-650℃下保持4h-5h后结束。

本发明采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：