[发明专利]激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺

权利要求书

1.一种激光剥离碳化硅减薄片的串联抛光工艺，其特征在于，所述串联抛光工艺包括以下步骤：

将激光剥离碳化硅减薄片依次进行i次抛光得到所需的抛光片；第i次抛光处理所得晶片的粗糙度比第i+1次高，第i次抛光处理所需抛光垫的硬度大于第i+1次抛光处理所需抛光垫的硬度，第i次抛光处理所需抛光液的pH小于第i+1次抛光处理所需抛光液的pH；其中，i为自然数且从1遍历至n，n为自然数且不小于2；

所述碳化硅减薄片顺次通过激光致裂剥离、减薄而得到。

2.根据权利要求1所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述激光致裂剥离得到的剥离片的损伤层深度不高于110μm，所述剥离片的表面裂纹台阶高度不高于70μm。

3.根据权利要求1所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述减薄得到的减薄片表面粗糙度不高于10nm，进一步，所述减薄片的表面粗糙度不高于7nm。

4.根据权利要求1所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述第i次抛光处理所需抛光液的颗粒大小小于第i+1次抛光处理所需抛光液的颗粒大小。

5.根据权利要求1所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述i为3；将激光剥离碳化硅减薄片依次进行3次抛光处理得到所需的抛光片；

其中，第1次抛光为粗抛，得到第1抛光片；再进行第2次抛光，中抛过程得到第2抛光片；最后经第3次抛光精抛过程得到所需的抛光片；

所述粗抛抛光垫为聚氨酯，抛光液为酸性氧化铝抛光液；所述中抛抛光垫为无纺布，抛光液为中性氧化锰或中性氧化铝抛光液；所述精抛抛光垫为阻尼布，抛光液为碱性氧化硅抛光液。

6.根据权利要求5所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述酸性氧化铝抛光液pH为2～5，抛光液的颗粒大小为90～130nm；所述中性氧化锰抛光液或中性氧化铝抛光液pH值为6～8，抛光液的颗粒大小为65～85nm；所述碱性氧化硅抛光液pH值为9-12，抛光液的颗粒大小为35～62nm。

7.根据权利要求5所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述聚氨酯的硬度85～95HA，所述无纺布的硬度70～83HA，所述阻尼布的硬度55～68HA。

8.根据权利要求5所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述第1次抛光的去除率3.5～5.5μm/h，第2次抛光的去除率1～3μm/h，第3次抛光的去除率0.1～0.5μm/h。

9.根据权利要求1所述的串联抛光工艺，其特征在于，所述抛光片的表面粗糙度不高于0.1nm。