[发明专利]一种光子集成的光域均衡器芯片

权利要求书

1.一种光子集成的光域均衡器芯片，设有半导体材料制成的基底，其特征在于，所述光域均衡器芯片包括：

布设在所述基底上的光分束器以及光耦合器；

在所述光分束器与所述光耦合器之间设有实现光功率调节、移相及延时处理的第一光处理支路，还设有与所述第一光处理支路并行的至少一条实现光功率调节、移相及延时处理的第二光处理支路；

其中，所述第一光处理支路包括光放大器，所述第二光处理支路包括强度调节器阵列。

2.根据权利要求1所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述光域均衡器芯片包括：

所述光分束器包括单一输入端、Y个输出端的多模干涉耦合器或级联的Y分支耦合器；

所述光耦合器包括Y个输入端、单一输出端的多模干涉耦合器或级联的Y分支耦合器；

其中，Y的取值为大于1的正整数。

3.根据权利要求1所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述第一光处理支路还包括：第一延时波导和第一移相器；

所述光放大器的输入端与所述光分束器的输出端连接，所述光放大器的输出端与所述第一延时波导的输入端连接，所述第一延时波导的输出端与所述第一移相器的输入端连接，所述第一移相器的输出端与所述光耦合器的输入端连接。

4.根据权利要求3所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述第一移相器为电光移相器或热光移相器。

5.根据权利要求1所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述第二光处理支路包括：与所述强度调节器阵列连接的延时波导阵列及移相器阵列；

所述延时波导阵列包括预设数量的第二延时波导；

所述移相器阵列包括预设数量的第二移相器。

6.根据权利要求5所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述第二光处理支路包括：

所述强度调节器阵列包括预设数量的强度调节器，所述强度调节器与所述第二延时波导一一对应连接，所述第二延时波导与所述第二移相器一一对应连接；

所述强度调节器的输入端与所述光分束器的输出端连接，所述第二移相器的输出端与所述光耦合器的输入端连接。

7.根据权利要求6所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述第二移相器为电光移相器或热光移相器。

8.根据权利要求6所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述强度调节器为强度调制器或可调衰减器。

9.根据权利要求8所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述强度调制器为马赫曾德尔调制器或电吸收调制器。

10.根据权利要求1所述的光子集成的光域均衡器芯片，其特征在于，所述光放大器包括半导体光放大器。