[发明专利]管理开放翻译单元的编程

说明书

本公开涉及管理开放翻译单元的编程。对可由第一字线WL寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中所述第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元TU。确定包括所述开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中所述第二存储器单元集可由第二WL寻址。响应于确定所述第二存储器单元集满足阈值准则，将与所述第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量。将与所述开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值。使用所述减小的编程状态校验电平和所述减小的编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行编程操作。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更尤其涉及管理开放翻译单元的编程。

背景技术

存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

发明内容

在一方面，本公开提供一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其与存储器装置以操作方式耦合，以进行包括以下各项的操作：对可由第一字线(WL)寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元(TU)；确定包括开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中第二存储器单元集可由第二WL寻址；响应于确定第二存储器单元集满足阈值准则，将与第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量；将与开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值；及使用减小的编程状态校验电平和减小的编程状态栅极步长对第二存储器单元集进行编程操作。

在另一方面，本公开进一步提供一种方法，其包括：对可由第一字线(WL)寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元(TU)；确定包括开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中第二存储器单元集可由第二WL寻址；响应于确定第二存储器单元集满足阈值准则，将与第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量；将与开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值；及使用减小的编程状态校验电平和减小的编程状态栅极步长对第二存储器单元集进行编程操作。

在再一方面中，本公开进一步提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令在由处理装置执行时使得处理装置进行包括以下各项的操作：对可由第一字线(WL)寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元(TU)；响应于确定包括开放TU的第二存储器单元集满足阈值准则，将与第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量，其中第二存储器单元集可由第二WL寻址；将与开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值；使用减小的编程状态校验电平和减小的编程状态栅极步长对第二存储器单元集进行编程操作；识别可由第三WL寻址的第三存储器单元集，其中第三存储器单元集包括开放TU；及使用与第三WL相关联的编程状态校验电平和编程状态栅极步长对第三存储器单元集进行编程操作。

附图说明

根据下文给出的详细描述且根据本公开的各种实施例的附图，将更加充分地理解本公开。然而，各图不应视为将本公开限于特定实施例，而是仅用于解释和理解。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。

图2为说明根据本公开的一些实施例的实例开放翻译单元的图。

图3为示意性地说明根据本公开的一些实施例的开放翻译单元的字线的阈值电压的移位的图。

图4为根据本公开的一些实施例的管理开放翻译单元的编程的实例方法的流程图。

图5为根据本公开的一些实施例的用以管理开放翻译单元的编程的实例方法的流程图。

图6为本公开的实施例可以在其中操作的实例计算机系统的框图。

具体实施方式