[发明专利]管理开放翻译单元的编程

权利要求书

1.一种系统，其包括：

存储器装置；及

处理装置，其与所述存储器装置以操作方式耦合，以进行包括以下各项的操作：

对可由第一字线WL寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中所述第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元TU；

确定包括所述开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中所述第二存储器单元集可由第二WL寻址；

响应于确定所述第二存储器单元集满足阈值准则，将与所述第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量；

将与所述开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值；及

使用所述减小的编程状态校验电平和所述减小的编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行编程操作。

2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：

识别可由第三WL寻址的第三存储器单元集，其中所述第三存储器单元集包括所述开放TU；及

使用与所述第三WL相关联的编程状态校验电平和所述编程状态栅极步长对所述第三存储器单元集进行编程操作。

3.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：

响应于确定所述第二存储器单元集不满足所述阈值准则，使用与所述第二WL相关联的编程状态校验电平和所述编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行所述编程操作。

4.根据权利要求1所述的系统，其中确定包括所述开放TU的所述第二存储器单元集处于粗略编程状态包括：

基于待对可由所述第一WL寻址的所述第一存储器单元集进行的读取操作而识别所述第一WL的阈值电压分布移位。

5.根据权利要求1所述的系统，其中确定包括所述开放TU的所述第二存储器单元集处于粗略编程状态包括：

基于待对可由所述第一WL寻址的所述第一存储器单元集进行的修整操作而识别所述第一WL的阈值电压分布移位。

6.根据权利要求1所述的系统，其中确定包括所述开放TU的所述第二存储器单元集处于粗略编程状态包括：

记录包括所述开放TU的最近编程存储器单元集的时戳；

记录所述开放TU的当前时戳；

确定所述所记录时戳与所述当前时戳之间的差；

识别所述开放TU的当前温度；及

确定所述当前温度和所述所记录时戳与所述当前时戳之间的所述差满足阈值准则。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述校验电平偏移量基于所述开放TU的每一WL的阈值电压的量而调整。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二WL逻辑上邻近于所述第一WL而驻留。

9.一种方法，其包括：

对可由第一字线WL寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中所述第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元TU；

确定包括所述开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中所述第二存储器单元集可由第二WL寻址；

响应于确定所述第二存储器单元集满足阈值准则，将与所述第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量；

将与所述开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值；及

使用所述减小的编程状态校验电平和所述减小的编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行编程操作。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

识别可由第三WL寻址的第三存储器单元集，其中所述第三存储器单元集包括所述开放TU；及

使用与所述第三WL相关联的编程状态校验电平和所述编程状态栅极步长对所述第三存储器单元集进行编程操作。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

响应于确定所述第二存储器单元集不满足所述阈值准则，使用与所述第二WL相关联的编程状态校验电平和所述编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行所述编程操作。