[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源图案，包括：

下图案，在第一方向上延伸；以及

多个片图案，在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述下图案间隔开，其中所述下图案包括半导体材料；

多个栅极结构，在所述下图案上并在所述第一方向上彼此间隔开，其中所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和栅极绝缘膜；

源极/漏极凹陷，在所述栅极结构中的相邻的栅极结构之间，其中所述源极/漏极凹陷的底部在所述下图案中；

底绝缘衬垫，在所述源极/漏极凹陷的所述底部中；以及

源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中并且在所述底绝缘衬垫之上，

其中所述底绝缘衬垫的最上部和所述源极/漏极凹陷的所述底部的最下部之间的垂直距离等于或小于所述下图案的上表面和所述源极/漏极凹陷的所述底部的所述最下部之间的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中每个所述栅极结构包括第一内栅极结构和第二内栅极结构，所述第一内栅极结构在所述下图案与所述片图案中的最下面的片图案之间，所述第二内栅极结构在所述片图案中的相邻的片图案之间，

其中所述第一内栅极结构和所述第二内栅极结构每个包括所述栅电极和所述栅极绝缘膜，以及

其中所述源极/漏极图案与所述第一内栅极结构的所述栅极绝缘膜和所述第二内栅极结构的所述栅极绝缘膜接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述栅极结构包括第一内间隔物和第二内间隔物，所述第一内间隔物在所述下图案与所述片图案中的最下面的片图案之间，所述第二内间隔物在所述片图案中的相邻的片图案之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一内间隔物的厚度大于所述第二内间隔物的厚度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一内间隔物的厚度等于所述第二内间隔物的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中随着所述底绝缘衬垫与所述栅极结构中的第一栅极结构之间的距离在所述第一方向上增大，所述底绝缘衬垫的厚度增大，然后减小。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述底绝缘衬垫的上表面具有凹入形状并与所述源极/漏极图案的底表面接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述底绝缘衬垫在所述第二方向上不与任一所述片图案重叠。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述底绝缘衬垫包括第一子底绝缘衬垫和第二子底绝缘衬垫，以及

其中所述第一子底绝缘衬垫在所述第二子底绝缘衬垫和所述下图案之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述底绝缘衬垫与所述下图案的整个凹陷表面接触。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述栅极绝缘膜包括在所述下图案的所述上表面上的栅极界面绝缘膜和栅极高介电常数绝缘膜，

其中所述栅极界面绝缘膜在所述栅极高介电常数绝缘膜和所述源极/漏极图案之间，以及

其中所述栅极界面绝缘膜的厚度小于所述栅极高介电常数绝缘膜的厚度。