[发明专利]发光元件

说明书

本发明公开一种发光元件，含半导体叠层，含第一型半导体层，含第一部分及第二部分连接第一部分；半导体高台，含主动区域形成于第一部分上，第二型半导体层形成于主动区域上；第一绝缘层形成于半导体叠层上，含第一组、第二组第一绝缘层开口；反射导电结构形成于第一绝缘层上，经第一组第一绝缘层开口电连接第二型半导体层；第二绝缘层，形成于反射导电结构上，具有接触区域含覆盖部及第一组第二绝缘层开口部，覆盖部与第一组第一绝缘层开口部重叠，第一组第一、第二绝缘层开口部错置；第一焊垫，位于第二绝缘层上，经第二组第一绝缘层开口部电连接该第一型半导体层；第二焊垫，位于第二绝缘层上，经第一组第一绝缘层开口部电连接第二型半导体层。

技术领域

本发明涉及一种发光元件，更详言之，是涉及一种提升亮度的发光元件。

背景技术

固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。

现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n-电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性区域内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，对于发光二极管的亮度规格也提高，如何提升其亮度，为本技术领域人员所研究开发的目标之一。

发明内容

本发明揭露一种发光元件，包含半导体叠层，包含第一型半导体层，包含第一部分及第二部分连接第一部分；以及半导体高台，包含主动区域形成于第一部分上，及第二型半导体层形成于主动区域上；第一绝缘层形成于第二型半导体层上，并包含第一组第一绝缘层开口及第二组第一绝缘层开口；反射导电结构形成于第一绝缘层上，经由第一组第一绝缘层开口电连接第二型半导体层；第二绝缘层，形成于反射导电结构上，并具有接触区域包含覆盖部及第一组第二绝缘层开口部，其中覆盖部与第一组第一绝缘层开口部重叠，第一组第二绝缘层开口部与第一组第一绝缘层开口部错置；第一焊垫，位于第二绝缘层上，经由第二组第一绝缘层开口部电连接该第一型半导体层；以及第二焊垫，位于第二绝缘层上，经由第一组第一绝缘层开口部电连接第二型半导体层。

附图说明

图1A为本发明一实施例发光元件10的俯视图；

图1B为图1A中标示C处的一俯视局部放大图；

图2A为本发明图1A沿A-A'线的一实施例发光元件10的截面图；

图2B为本发明图1A沿B-B'线的一实施例发光元件10的截面图；

图3至图18B为本发明一实施例发光元件10制造方法中于各阶段的俯视图及截面图；

图19A至图19E为本发明各实施例发光元件11至15的俯视图；

图20A为本发明一实施例发光元件20的俯视图；

图20B为本发明图20A沿A-A'线的一实施例发光元件20的截面图；

图21A及图21B为本发明各实施例发光元件21及22的俯视图；

图22为本发明一实施例发光元件30的俯视图；

图23A为本发明图22沿A-A'线的一实施例发光元件30的截面图；

图23B为本发明图22沿B-B'线的一实施例发光元件30的截面图；

图24为本发明一实施例发光元件31的俯视图；

图25为本发明一实施例发光封装体1P的示意图；

图26为本发明一实施例发光封装体2P的示意图；