[发明专利]基于并排结构的双能探测器

权利要求书

1.一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，包括探测器基准PCB板(101)、低能探测单元(201)、高能探测单元(202)、高能低能分隔层(301)和低能滤波片(302)，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)并排设置于探测器基准PCB板(101)上，所述高能低能分隔层(301)设于低能探测单元(201)和高能探测单元(202)之间，且高能低能分隔层(301)的高度高于低能探测单元(201)和高能探测单元(202)，所述低能滤波片(302)固定于高能低能分隔层(301)上，且低能滤波片(302)位于探测器基准PCB板(101)上的投影完全覆盖高能探测单元(202)的所在区域，并与低能探测单元(201)所在区域无交集。

2.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能滤波片(302)和探测器基准PCB板(101)平行设置。

3.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)均为多排线阵。

4.根据权利要求3所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)均为4排线阵。

5.根据权利要求3所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)的排数一致。

6.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述探测器基准PCB板(101)还设有光电二极管电信号放大转换芯片(401)。

7.根据权利要求6所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述光电二极管电信号放大转换芯片(401)的数量为4个。

8.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述高能低能分隔层(301)和探测器基准PCB板(101)垂直设置。

9.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能滤波片(302)的宽度大于高能探测单元(202)区域的宽度。

10.根据权利要求1所述的一种基于并排结构的双能探测器，其特征在于，所述低能探测单元(201)和高能探测单元(202)的宽度一致。