[发明专利]屏蔽罩组件的制备方法在审

专利信息
申请号: 202211622672.7 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN115720408A 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 许成;刘坤;孙连来;时卓 申请(专利权)人: 辽宁省轻工科学研究院有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 张倩怡
地址: 110142 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽 组件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

根据所述电子电路基板的形状和尺寸,确定屏蔽罩组件的整体形状和尺寸;

所述屏蔽罩组件包括屏蔽罩主体、设置于所述屏蔽罩主体内的封闭空腔,以及设置于所述屏蔽罩主体下端的容纳凹槽;

根据所述电子电路基板上壁到电子元器件上壁之间的距离,获取所述容纳凹槽的高度,所述容纳凹槽用于容纳所述电子元器件,所述屏蔽罩主体与所述电子电路基板固定连接;

根据所述电子电路基板上壁到外壳内壁的距离,获取所述屏蔽罩主体的高度;

在所述封闭空腔内先填装所述相变导热材料后进行封闭,所述外壳外罩于所述屏蔽罩主体外。

2.根据权利要求1所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述屏蔽罩主体的上壁与所述外壳内壁之间设有上层导热层,所述上层导热层为导热硅胶或抹导热凝胶。

3.根据权利要求2所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述屏蔽罩主体的高度=电子电路基板上壁到外壳内壁的距离-(0-0.2)mm。

4.根据权利要求1所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括:在所述容纳凹槽的内壁与所述电子元器件上壁之间设有下导热层,所述下导热层为导热硅胶或抹导热凝胶。

5.根据权利要求4所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述容纳凹槽的高度=述电子电路基板上壁到电子元器件上壁之间的距离+(0-0.2)mm。

6.根据权利要求1所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述封闭空腔为一个或多个空腔结构,多个所述空腔结构呈阵列布置于所述屏蔽罩主体内,所述导热相变材料为石蜡、六水氯化钙和多元醇中的至少一种。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述屏蔽罩主体的材质为铝合金、不锈钢和纯铜中的至少一种。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述屏蔽罩主体为一体成型制成,所述成型方式为铣削、精雕、铸造和3D打印中的至少一种。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的屏蔽罩组件的制备方法,其特征在于,所述封闭的方式包括粘接、榫卯、镶嵌、灌封和焊接中的至少一种。

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