[发明专利]一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法

说明书

本发明属于ITO靶材领域，具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6‑20N的力，然后升温至850‑950℃，保温一段时间，最后升温至1500～1600℃，保温一段时间。采用本发明的方法具有精度高、靶材受损小的优势。

技术领域

本发明属于ITO靶材领域，具体涉及一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法。

背景技术

ITO靶材经过溅射成膜后，由于其独特的物理化学特性，如高的光透过率、高的导电性以及强的紫外光吸收性，因而被广泛应用在液晶显示、太阳能电池以及军事领域等。ITO平面靶作为目前靶材应用行业的主流产品，其主要烧结方式为常压烧结，然而在烧结过程中，由于靶坯自身存在密度差、烧结炉内温度不均匀等因素，极易造成烧结后靶坯产生很大的翘曲，从而导致靶坯的预留量不够，只能报废或者降级处理，从而导致靶坯成品率低，大大提高了生产成本。

本案解决的技术问题在于：如何高精度、高合格率的对翘曲ITO靶材进行校正。

发明内容

本发明的目的是提供一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，采用本发明的方法具有精度高、靶材受损小的优势。

本发明的技术方案为：

一种降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法，在翘曲的ITO平面靶的翘曲的位置的表面施加6-20N的力，然后升温至850-950℃，保温一段时间，最后升温至1500～1600℃，保温一段时间。

本发明适用的ITO平面靶为：选用成分比为In₂O₃：SnO₂＝90:10的ITO靶材，靶材的长、宽、后分别为1000*250*12mm。

需要说明的是，本发明定义翘曲程度的方法为：

将尺寸为1000*250*12mm的靶材放到一个平面上，测量靶材的边缘和平面之间的最大间距，即可定义为翘曲程度。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，包括如下步骤：

步骤1：将ITO平面靶放置在平面上；

步骤2：施加6-20N的力至翘曲的位置的表面，力的大小和翘曲程度呈正相关；

步骤3：升温至850-950℃，保温一段时间；

步骤4：升温至1500～1600℃，保温一段时间。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，还包括步骤5：降温至室温。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，ITO平面靶的翘曲程度为3-10mm；

翘曲程度为3-5mm时，压力为6-7.5N；

翘曲程度为5-7mm时，压力为7.5-10N；

翘曲程度为7-10mm时，压力为10-20N。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，步骤2中，在ITO平面靶的表面施加力的方式为：将与ITO平面靶表面不反应、不粘结的块状材料放到ITO平面靶的表面；

所述平面和ITO平面靶之间铺设有与ITO平面靶表面不反应、不粘结的耐高温粉末。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，所述块状材料为氧化铝块、氧化锆块或氧化镁块；所述耐高温粉末为氧化铝、氧化锡、氧化锆或氧化镁；所述平面为D承烧板。

在上述的降低烧结后ITO平面靶翘曲的方法中，所述步骤3的升温速度为2～10℃/min，保温时间为5～10h；所述步骤4的升温速度为2～5℃/min，保温时间为5～50h。