[发明专利]气相沉积设备

说明书

本发明涉及气相沉积设备，包括：腔体，基台包括台面和基轴，台面位于腔体内，基轴连接台面下表面，基轴穿过腔体连接有调节板；行星组件包括旋转架，旋转架内周设置有内齿圈，旋转架底面中心与旋转轴心转动连接，旋转轴心安装在支撑板上，旋转轴心位于旋转架内的一端连接有行星架，行星架中心转动连有中心齿轮，行星架的多个端部分别转动连接有行星轮，行星轮分别与内齿圈和中心齿轮啮合；多个旋转升降组件通过固定板相连，旋转升降组件与调节板相接，旋转升降组件通过行星轮的旋转驱动升降；支撑板和固定板通过安装板固定连接于腔体下方。本发明操作简便，实现多点同步调节，提高了基台升降便捷性。

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其是指气相沉积设备。

背景技术

在真空条件下，利用气相沉积技术在基片表面上镀制薄膜是获得优良力学性能、特殊物理/化学性能薄膜材料的重要途径，是当今材料科学、物理科学等领域的研究热点。气相沉积技术的核心问题在于利用所选定的沉积方法（如磁控溅射、脉冲激光沉积等），在待镀的基片表面获得所需性能的薄膜材料。

气相沉积过程需要通过气相沉积设备来实现，随着科研和实际膜层生产工艺的不断发展，对气相沉积镀膜装置功能多样化的要求更加苛刻，晶圆基台需要满足各种功能，在进行不同工艺时，晶圆基台的高度还需要根据具体工艺要求进行反复调整。

现在的晶圆基台调节机构是调节安装在腔体上的连接安装板与腔体之间的高度，从而实现与连接安装板相连的晶圆基台高度的调节。具体调节方法，是调节连接安装板上的三个螺钉以达到调节高度的目的。然而直接调节三个安装螺钉，三个安装螺钉分别依次调节，会造成三点调节高度存在绝对的高低误差，从而影响晶圆基台与腔体的平行度，即影响晶圆基台工艺高度的平面度，导致晶圆相对于基台产生位移或滑落，进而影响镀膜速率、镀膜厚度、镀膜均匀性。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中的缺陷，提供一种气相沉积设备，实现晶圆基台多点同步调节，操作简单方便，保证晶圆基台平面度的一致。

为解决上述技术问题，本发明提供了气相沉积设备，包括：

腔体；

基台，所述基台包括台面和基轴，所述台面位于所述腔体内，所述基轴连接所述台面下表面，所述基轴穿过所述腔体连接有调节板；

行星组件，所述行星组件包括旋转架，所述旋转架内周设置有内齿圈，所述旋转架底面中心与旋转轴心转动连接，所述旋转轴心安装在支撑板上，所述旋转轴心位于所述旋转架内的一端连接有行星架，所述行星架中心转动连有中心齿轮，所述行星架的多个端部分别转动连接有行星轮，所述行星轮分别与所述内齿圈和中心齿轮啮合；

多个旋转升降组件，多个所述旋转升降组件通过固定板相连，所述旋转升降组件与所述调节板相接，所述旋转升降组件通过所述行星轮的旋转驱动升降；

所述支撑板和固定板通过安装板固定连接于所述腔体下方。

在本发明的一个实施例中，所述旋转升降组件为差动螺旋组件，所述差动螺旋组件包括：

螺杆，所述螺杆下端连接于所述行星轮中心，所述螺杆两端分别设置有螺纹旋向相同的第一螺旋副和第二螺旋副；

固定壳，多个所述固定壳通过所述固定板相连，所述固定壳内设置有对应所述第一螺旋副的第一内螺纹；

差动位移头，所述差动位移头在所述固定壳内平动，所述差动位移头内设置有对应所述第二螺旋副的第二内螺纹；

所述第一内螺纹的导程大于第二内螺纹的导程，从而形成导程差，形成差动螺旋机构，从而实现高度的精准微调。

在本发明的一个实施例中，所述第一螺旋副和第二螺旋副之间的螺杆外套设有弹簧，所述弹簧一端抵接所述第一螺旋副，所述弹簧另一端抵接所述固定壳或差动位移头。