[发明专利]一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法在审
申请号: | 202211591341.1 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN115936085A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 余飞;孔新新;黄园媛;姚卫;蔡烁 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 王本晋 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 场景 hnn 构建 方法 自适应 同步 | ||
本发明公开了一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法,其中,多场景的HNN构建方法构建的非多项式忆阻器,不仅保证了动态方程右侧的平滑,而且保持了常数级别的方法复杂度;基于非多项式忆阻器,构建三种场景的忆阻HNN,从这些HNN中发现了丰富的动力学行为,包括可控单向扩展多涡卷吸引子、可控网格多涡卷吸引子、初始偏移引发的混沌共存和初始偏移引发的周期共存。本发明的自适应同步方法通过构建自适应状态观测器和同步控制器,在三种场景的忆阻HNN中选择任意两个场景的忆阻HNN作为主系统和从系统,基于自适应状态观测器,采用同步控制器使主系统和从系统同步,能够很好的模拟大脑不同区域之间的同步。
技术领域
本发明涉及神经动力学技术领域,尤其是涉及一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法。
背景技术
HNN(Hopfield神经网络)是在解释联想记忆的Ising模型的基础上提出的。它具有连续的动力学并可以帮助理解人脑的记忆。近年来,研究人员将忆阻器以不同的方式引入到HNN中,通过调整忆阻突触权值,他们发现神经网络中存在多涡卷吸引子、极端多稳态等复杂动力学行为。
在现有技术中,研究人员通过引入一类包含符号多项式的忆阻器,成功地获得了可控的多涡卷忆阻HNN。尽管符号函数极大地简化了电路设计,但其不连续的数学特性也会带来一系列的问题。一个包含符号多项式的忆阻器无疑包含了一系列的“坏”点。在这些“坏”点上,微分方程解的存在性和唯一性判断是直接不可得的。其次,许多自适应同步控制方法都要求系统满足Lipschitz条件。此外,有研究人员使用连续的基函数代替符号函数,这虽然克服了“坏”点的问题,但无疑增加了电路实现的复杂性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种多场景的HNN构建方法和自适应同步方法,能够保持常数级别的方法复杂度,并产生丰富的动力学行为。
第一方面,本发明实施例提供了一种多场景的HNN构建方法,所述多场景的HNN构建方法,包括:
构建非多项式忆阻器为:
其中,a,b,c,d表示所述非多项式忆阻器的参数,im表示所述非多项式忆阻器的输出电流,W(x)表示忆导,vm表示外部输入电压,x表示忆阻器内部状态变量,dt表示对时间t进行求导,f(·)表示忆阻内部状态函数,f(x)的表达式为:
其中,fodd表示被用于诱导奇数个涡卷,feven表示被用于诱发偶数个涡卷,odd-scrolls表示奇数个涡卷,even-scrolls表示偶数个涡卷;
基于所述非多项式忆阻器,构建三种场景的忆阻HNN;其中,所述三种场景的忆阻HNN包括忆阻突触权重HNN、电磁辐射下的HNN和电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN。
与现有技术相比,本发明第一方面具有以下有益效果:
本方法构建的非多项式忆阻器,不仅保证了动态方程右侧的平滑,而且保持了常数级别的方法复杂度;基于非多项式忆阻器,构建三种场景的忆阻HNN;其中,三种场景的忆阻HNN包括忆阻突触权重HNN、电磁辐射下的HNN和电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN,忆阻突触权重HNN和电磁辐射下的HNN能够成功生成形状相似的可控多涡卷吸引子,电磁辐射作用下的忆阻突触权重HNN能够生成可控的网格多卷吸引子,从这些HNN中发现了丰富的动力学行为,包括可控单向扩展多涡卷吸引子、可控网格多涡卷吸引子、初始偏移引发的混沌共存和初始偏移引发的周期共存。
根据本发明的一些实施例,构建所述忆阻突触权重HNN为:
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