[发明专利]区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法

权利要求书

1.一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；

2)浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层；

3)通过RF-PECVD方法在高偏压条件下在其表面制备C：H保护膜，厚度不超过150nm；在低偏压条件下制备C：H保护膜，厚度不超过400nm，即可得到区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜。

2.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于所述区熔单晶硅基底电阻率≥2000Ω.cm，直径或对角线长度≥300mm，厚度不低于25mm。

3.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤1中超声波清洗剂包含但不限于KOH、盐酸、H₂O₂中的一种，并采用风干的方式进行干燥。

4.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤2中所述化学溶液包含但不限于HF、NH₄HF₂、NH₄F中的一种。

5.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤3高偏压条件的制备过程中功率1KW～2KW，沉积偏压不低于800V。

6.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤3低偏压条件的制备过程功率1KW～2KW，沉积偏压不高于750V。

7.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤3采用多次成膜的方式完成制备，每次镀制完成后降温至室温后取出；在低偏压条件下制备C：H保护膜分两次进行，每次厚度不超过200nm。

8.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于还包括步骤4)：采用红外光谱仪测试中波红外光学透过率；确认其中波红外单面光学透过率不低于92％；

步骤5)：依据《GJB2485A-2019光学膜层通用规范》进行2个周期低温、高温及湿热试验，并依据《GJB150.11A盐雾试验办法》进行5个周期的盐雾试验；

步骤6)：进行压力筛选试验，试验完成后膜层无起皮、褶皱及脱落现象合格。

9.如权利要求8所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤5中低温为-45℃，高温为70℃，湿热为95％RH，盐雾试验为24h盐雾+24h干燥试验。

10.如权利要求8所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤6中采用多周期循环压力筛选试验，在60W黄灯下进行观察，膜层应无起皮、褶皱及脱落现象合格。