[发明专利]一种化学机械抛光方法在审
申请号: | 202211570612.5 | 申请日: | 2022-12-08 |
公开(公告)号: | CN115741250A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 王春龙;王国栋;王同庆;赵德文 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300350 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 方法 | ||
本发明公开了一种化学机械抛光方法,其包括:抛光组件配置的第一承载头自装卸台装载晶圆并移动至抛光盘,以对晶圆实施化学机械抛光;在第一承载头朝向抛光盘移动的过程中,晶圆传输机械手将下一片晶圆放置于装卸台;抛光组件配置的第二承载头移动至装卸台并装载晶圆;保湿机构的输液件与第二承载头上侧的防护件连接,并朝向防护件输送流体,以在防护件的下方形成水帘;第一承载头完成抛光后,输液件停止供液并与防护件分离,装载有晶圆的第二承载头移动至抛光盘,以对晶圆实施化学机械抛光。
技术领域
本发明属于化学机械抛光技术领域,具体而言,涉及一种化学机械抛光方法。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术,是晶圆制造的关键技术,在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。
化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面,晶圆具有沉积层的一面抵接于抛光垫上表面,承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷;抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间,使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
抛光过程中,抛光单元内部器件的表面需要保湿,以避免抛光液和/或颗粒物附着于器件表面而结晶,这些结晶可能会在抛光作业过程中掉落而致使晶圆划伤。
现有技术中,抛光单元内部设置有喷射组件,以实现内部器件的保湿。但这种保湿方式会引起流体反溅,使得含有颗粒物的流体二次溅落至其他器件而影响抛光单元内部的保湿效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种化学机械抛光方法,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明的实施例提供了一种化学机械抛光方法,包括:
S1,抛光组件配置的第一承载头自装卸台装载晶圆并移动至抛光盘,以对晶圆实施化学机械抛光;
S2,在第一承载头朝向抛光盘移动的过程中,晶圆传输机械手将下一片晶圆放置于装卸台;
S3,抛光组件配置的第二承载头移动至装卸台并装载晶圆;
S4,保湿机构的输液件与第二承载头上侧的防护件连接,并朝向防护件输送流体,以在防护件的下方形成水帘;
S5,第一承载头完成抛光后,输液件停止供液并与防护件分离,装载有晶圆的第二承载头移动至抛光盘,以对晶圆实施化学机械抛光。
在一些实施例中,所述第一承载头/第二承载头移动至装卸台后,所述保湿机构的输液件与防护件连接,所述输液件开始供给流体。
在一些实施例中,所述防护件的下方形成环形的水帘,其罩设于第一承载头/第二承载头的外侧。
在一些实施例中,所述水帘自上而下设置,其与第一承载头/第二承载头的外周侧的横向间距为0-3mm。
在一些实施例中,朝向所述防护件输送的流体包含高于常温的去离子水。
在一些实施例中,所述抛光组件包括回转件、支撑架、第一承载头和第二承载头,所述回转件连接于支撑架,所述第一承载头和第二承载头通过固定件悬挂于所述支撑架的下方;所述回转件能够带动支撑架绕竖向轴线旋转,以带动第一承载头/第二承载头在装卸台与抛光盘之间移动;所述防护件连接于所述固定件。
在一些实施例中,所述支撑架的长度方向配置有直线模组,所述固定件通过直线模组滑动连接于所述支撑架;所述第一承载头/第二承载头能够沿水平方向移动,以带动所述防护件朝向或远离所述输液件移动。
在一些实施例中,所述支撑架旋转过程中,所述第一承载头/第二承载头预先沿所述支撑架的长度方向移动,使得朝向装卸台移动的防护件与所述输液件插接固定。
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