[发明专利]用于集成电路填钴的镀钴添加剂、电镀钴镀液及电镀方法在审
| 申请号: | 202211559801.2 | 申请日: | 2022-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN115874236A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 安茂忠;李亚强;马晓川;任鹏辉;张远航;任淼玉;董毅超;杨培霞;张锦秋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号: | C25D3/18 | 分类号: | C25D3/18;C25D21/12 |
| 代理公司: | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人: | 李智慧 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 集成电路 添加剂 电镀 钴镀液 方法 | ||
1.一种用于集成电路填钴的镀钴添加剂,其特征在于:包括抑制剂,所述抑制剂为苯并四氮唑类化合物中的一种或多种的组合,所述苯并四氮唑类化合物的结构式如式Ⅰ所示:
式中,R为烷基链、苯基、含其他取代基官能团的苯基或硝基,R1,R2,R3和R4相同或者不同,分别为氢、硝基、烷基中的一种,R5和R6相同或者不同,分别为氢、卤素、硝基、酯基、羰基、烷基中的一种。
2.根据权利要求1所述的用于集成电路填钴的镀钴添加剂,其特征在于,所述镀钴添加剂还包括润湿剂,所述润湿剂为含硫有机物。
3.根据权利要求1所述的用于集成电路填钴的镀钴添加剂,其特征在于:所述苯并四氮唑类化合物包括但不限于:3-(4-硝基苯基)-5-甲基-2-苯基氯化四氮唑,四硝基四氮唑蓝,碘硝基四唑紫,四氮唑蓝,2,3-双(4-硝基苯基)-5-苯基氯化四氮唑水合物,2,3,5-三苯基氯化四氮唑,2,3-二苯基-5-羧基氯化四氮唑,2,3-二苯基-5-甲基氯化四氮唑,2,3-二苯基-5-乙基氯化四氮唑,2,3-双(4-乙苯基)-5-苯基氯化四氮唑,2,3-二(对甲苯基)-5-苯基氯化四氮唑,2,3-二苯基-5-(4-甲氧苯基)氯化四氮唑,2,3-双(4-甲苯基)-5-(4-氰苯基)氯化四氮唑,氯化硝基四氮唑蓝或噻唑蓝溴化四唑。
4.根据权利要求2所述的用于集成电路填钴的镀钴添加剂,其特征在于:所述含硫有机物为3-巯基丙烷磺酸钠盐,二巯基丙磺酸钠,1,3-二巯基丙烷,十二烷基磺酸钠,十二烷基硫酸钠,十二烷基苯磺酸钠,1-十六烷磺酸钠盐,聚二硫二丙烷磺酸钠,甲烷二磺酸二钠盐中的一种或多种的组合。
5.一种电镀钴镀液,其特征在于:包括权利要求1-4任一权利要求所述的镀钴添加剂。
6.根据权利要求5所述的电镀钴镀液,其特征在于:所述电镀钴镀液中抑制剂的浓度为5mg/L-500mg/L,润湿剂为含硫有机物,润湿剂的浓度为1mg/L-50mg/L。
7.根据权利要求5所述的电镀钴镀液,其特征在于:所述电镀钴镀液中抑制剂的浓度为10mg/L-50mg/L,润湿剂的浓度为10mg/L-20mg/L。
8.根据权利要求5所述的电镀钴镀液,其特征在于:所述电镀钴镀液还包括七水硫酸钴、硼酸和卤素离子,所述七水硫酸钴的浓度为50-100g/L,卤素离子的浓度为10-100mg/L,硼酸的浓度为20-50g/L。
9.根据权利要求8所述的电镀钴镀液,其特征在于:所述卤素离子包括氯离子、溴离子或碘离子。
10.一种利用权利要求5-9任一权利要求所述的电镀钴镀液进行电镀的方法,其特征在于:将含有微孔的基板放入电镀钴镀液中,在空气搅拌的条件下,采用恒电流的方式进行电镀,电镀的电流密度为0.5~1.5A·dm-2,镀钴过程控制镀液温度为10~35℃。
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