[发明专利]一种高氧含量掺杂二硫化钼材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211516936.0 申请日: 2022-11-29
公开(公告)号: CN115724465A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 吴海伟;郭彦伯;韦海茹;任宣;李志健;刘汉斌 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C01G39/06 分类号: C01G39/06;H01M4/62;H01M10/052
代理公司: 北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703 代理人: 李晓晓
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 含量 掺杂 二硫化钼 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种高氧含量掺杂二硫化钼材料及其制备方法,由以下步骤制备得到:步骤(1),将四水合钼酸铵加入硫脲水溶液中,得到混合体系A;其中,四水合钼酸铵和硫脲分别以钼和硫计,钼与硫的物质的量之比为7:(10~30);步骤(2),将混合体系A在180~210℃下进行水热反应20~28h,分离产物并干燥,得到高氧含量掺杂二硫化钼材料。得到的这种新型的高氧含量掺杂二硫化钼材料,只需经过简单的水热反应,通过控制硫脲添加量即可有效控制氧掺杂含量;且在保证1T型硫化钼的高导电性的同时兼具氧化物的热力学稳定性。将其作为锂硫电池的反应催化剂,可改善锂硫电池的电化学性能。

技术领域

本发明涉及氧含量掺杂材料制备技术领域,具体为一种高氧含量掺杂二硫化钼材料及其制备方法。

背景技术

MoS2由钼原子层夹在两层硫原子层之间的三层原子层构成,具有类似“三明治”的特殊层状结构,因此具备优异的各向异性与催化性能。MoS2的主要存在结构中,2H型的MoS2结构表现出半导体性质;而1T型MoS2结构表现出高导电特性。但1T型的MoS2为亚稳态,常温下不稳定,而2H型MoS2在常温下比较稳定,故热力学不稳定相1T型MoS2会向稳定相2H型MoS2转变。鉴于1T型MoS2的高导电特性,其在电化学能源材料领域备受青睐,但1T型MoS2的不稳定性也使其应用受限。

文献CN111545161 B公开了一种具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用,其采用氧掺杂方式赋予MoS2更好的对亚甲基蓝吸附效率,但其并未谈论这种氧掺杂MoS2材料的相组成、氧掺杂率、导电性以及稳定性等。且其制备过程相对繁琐,未能对氧掺杂含量进行较为准确的控制,因此在作为锂硫电池的催化剂时,存在不稳定以及催化活性低等缺点。

发明内容

针对现有氧掺杂硫化钼技术的缺陷,本发明提供一种高氧含量掺杂二硫化钼材料及其制备方法,得到的这种新型的高氧含量掺杂二硫化钼材料,只需经过简单的水热反应,通过控制硫脲添加量即可有效控制氧掺杂含量;且在保证1T型硫化钼的高导电性的同时兼具氧化物的热力学稳定性。将其作为锂硫电池的反应催化剂,可改善锂硫电池的电化学性能。

本发明通过以下技术方案实现:

一种高氧含量掺杂二硫化钼材料的制备方法,由以下步骤制备得到:

步骤(1),将四水合钼酸铵加入硫脲水溶液中,得到混合体系A;其中,四水合钼酸铵和硫脲分别以钼和硫计,钼与硫的物质的量之比为7:(10~30);

步骤(2),将混合体系A在180~210℃下进行水热反应20~28h,分离产物并干燥,得到高氧含量掺杂二硫化钼材料。

优选的,步骤(1)中,所述四水合钼酸铵为四水合二钼酸铵、四水合四钼酸铵、四水合七钼酸铵和四水合八钼酸铵中的一种。

优选的,步骤(1)中,硫脲水溶液的浓度为0.25~0.88mol/L。

优选的,步骤(1)中,将四水合钼酸铵加入硫脲水溶液中,超声分散均匀,得到混合体系A。

优选的,步骤(2)中,水热反应完成后,将反应液进行真空抽滤,所得产物用去离子水和乙醇洗涤后干燥。

优选的,步骤(2)中,干燥为真空干燥。

采用所述的制备方法得到的高氧含量掺杂二硫化钼材料。

优选的,高氧含量掺杂二硫化钼材料中氧的原子含量在8%以上。

与现有氧掺杂硫化钼技术相比,本发明具有如下的有益效果:

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