[发明专利]支承板的去除方法和板状部件的加工方法在审
申请号: | 202211514938.6 | 申请日: | 2022-11-30 |
公开(公告)号: | CN116230613A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 北原信康 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支承 去除 方法 部件 加工 | ||
本发明提供支承板的去除方法和板状部件的加工方法,不增加粘接层的成本而能够以小力去除支承板。支承板的去除方法包含如下的步骤:硬化步骤,对包含当照射紫外线时发生硬化的处于未硬化状态的硬化材料并且将透过紫外线的支承板粘接于板状部件的粘接层从支承板侧照射紫外线,使粘接层的硬化材料硬化;空孔形成步骤,在硬化步骤之后,从支承板侧对粘接层照射透过支承板且被硬化材料吸收的波长的激光束,在粘接层的与支承板接触的面上形成多个空孔;以及支承板去除步骤,在空孔形成步骤之后,以形成有多个空孔的面为界而从粘接层剥离支承板,从粘接于板状部件的粘接层去除支承板。
技术领域
本发明涉及将对板状部件进行支承的支承板剥离而去除时所应用的支承板的去除方法和利用了该支承板的去除方法的板状部件的加工方法。
背景技术
为了实现小型且轻量的器件芯片,将在正面侧设置有集成电路等器件的晶片薄薄地加工的机会增加。例如利用卡盘工作台对晶片的正面侧进行保持,使固定有包含磨粒的磨削加工用的磨具的磨削用磨轮和卡盘工作台相互旋转,一边提供纯水等液体一边将磨具按压于晶片的背面,由此该晶片被磨削加工而变薄。
但是,当利用上述方法使晶片的整体变薄时,晶片的刚性也大幅降低,后续工序中的晶片的操作变难。因此,在对晶片进行磨削加工之前,将适合加强的具有规定的刚性的支承板借助粘接层而粘贴于晶片的正面侧(例如参照专利文献1和专利文献2)。另外,在晶片的加工结束时将该支承板剥离而去除。
专利文献1:日本特开2004-153193号公报
专利文献2:日本特开2014-53623号公报
但是,当从被磨削加工而变薄的晶片去除支承板时对晶片施加大力时,晶片破损的概率也增高。因此,将通过紫外线等而硬化的硬化型的粘接剂使用于粘接层,使从晶片去除支承板时粘接层的粘接力降低。
但是,粘接层与支承板紧贴,因此即使粘接层的粘接力降低,在从粘接层剥离支承板时,也需要大到某程度的力。还研究了对粘接层添加产生气体的特殊材料(气体产生剂)而使支承板与粘接层的紧贴性降低的方法,但在该方法中,需要特殊材料,因此粘接层的成本增加。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供不增加粘接层的成本而能够以小力去除支承板的支承板的去除方法和利用了该支承板的去除方法的板状部件的加工方法。
根据本发明的一个方式,提供支承板的去除方法,其中,该支承板的去除方法包含如下的步骤:硬化步骤,对包含当照射紫外线时发生硬化的处于未硬化状态的硬化材料并且将透过该紫外线的支承板粘接于板状部件的粘接层从该支承板侧照射该紫外线,使该粘接层的该硬化材料硬化;空孔形成步骤,在该硬化步骤之后,从该支承板侧对该粘接层照射透过该支承板且被该硬化材料吸收的波长的激光束,在该粘接层的与该支承板接触的面上形成多个空孔;以及支承板去除步骤,在该空孔形成步骤之后,以该面为界而从该粘接层剥离该支承板,从粘接于该板状部件的该粘接层去除该支承板。
优选在该空孔形成步骤中,按照在该面内相邻的被照射区域不重叠的方式照射脉冲状的该激光束。优选在该空孔形成步骤中,从该面的端部起依次形成多个该空孔。另外,优选支承板的去除方法还包含如下的粘接层去除步骤:在该支承板去除步骤之后,从该板状部件剥离该粘接层而去除该粘接层。
根据本发明的另一方式,提供板状部件的加工方法,是利用了上述的支承板的去除方法的板状部件的加工方法,其中,该板状部件的加工方法包含在该空孔形成步骤之前对该板状部件进行加工的加工步骤。
在本发明的一个方式的支承板的去除方法中,在使包含当照射紫外线时发生硬化的硬化材料的粘接层的硬化材料硬化之后,从支承板侧对粘接层照射透过支承板且被硬化材料吸收的波长的激光束,在粘接层的与支承板接触的面上形成多个空孔,因此通过该多个空孔而使支承板与粘接层的紧贴性降低,从而能够以小力从粘接层剥离支承板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造