[发明专利]平坦度控制方法、装置、设备及介质

权利要求书

1.一种平坦度控制方法，其特征在于，用于控制机台对目标晶圆执行预设化学机械研磨工艺，所述方法包括：

获取所述目标晶圆的当前表面的厚度均一性参数及相对研磨量，所述相对研磨量为所述目标晶圆的当前厚度值与目标厚度值的差值；

根据所述厚度均一性参数、所述相对研磨量及目标修正模型，计算所述目标晶圆的绝对研磨量，所述目标修正模型包括所述绝对研磨量与所述厚度均一性参数及所述相对研磨量的关联关系；

根据所述绝对研磨量控制所述机台执行所述预设化学机械研磨工艺。

2.根据权利要求1所述的平坦度控制方法，其特征在于，所述获取所述目标晶圆的当前表面的厚度均一性参数，包括：

获取不同结构晶圆的历史数据，所述历史数据包括不同结构晶圆的绝对研磨量及对应的修正相对研磨量，所述修正相对研磨量为根据厚度均一性参数修正后的相对研磨量；

对所述历史数据进行参数拟合，得到目标拟合曲线，所述目标拟合曲线为所述绝对研磨量随所述修正相对研磨量的线性变化关系；

根据所述目标晶圆的绝对研磨量及对应的修正相对研磨量及所述目标拟合曲线，计算所述目标晶圆的所述厚度均一性参数。

3.根据权利要求2所述的平坦度控制方法，其特征在于，所述计算所述目标晶圆的绝对研磨量，包括：

根据所述目标晶圆的当前厚度值pre thk、目标厚度值post thk target以及厚度均一性参数TR％，按照如下公式计算所述目标晶圆的绝对研磨量Td：

Td＝(pre thk*Q-post thk target)*(1-TR％)*M+N；

上式中，M为所述目标晶圆的所述厚度均一性参数的修正系数，N为常数项修正系数，Q为所述目标晶圆的所述当前厚度值的修正系数。

4.根据权利要求3所述的平坦度控制方法，其特征在于，所述绝对研磨量为研磨过程实际去除的所述目标晶圆的体积。

5.根据权利要求3所述的平坦度控制方法，其特征在于，所述目标晶圆的当前厚度值为所述目标晶圆各区域厚度的最大值。

6.一种化学机械抛光装置，其特征在于，包括：

抛光模块，用于对目标晶圆执行预设化学机械研磨工艺；

参数获取模块，用于获取所述目标晶圆的当前表面的厚度均一性参数及相对研磨量，所述相对研磨量为所述目标晶圆的当前厚度值与目标厚度值的差值；

计算模块，与所述参数获取模块电连接，用于根据所述厚度均一性参数、所述相对研磨量及目标修正模型，计算所述目标晶圆的绝对研磨量，所述目标修正模型包括所述绝对研磨量与所述厚度均一性参数及所述相对研磨量的关联关系；

控制模块，与所述计算模块以及所述抛光模块电连接，用于根据所述绝对研磨量控制所述抛光模块执行所述预设化学机械研磨工艺。

7.根据权利要求6所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述参数获取模块还用于获取不同结构晶圆的历史数据，所述历史数据包括不同结构晶圆的绝对研磨量及对应的修正相对研磨量，所述修正相对研磨量为根据厚度均一性参数修正后的相对研磨量；并对所述历史数据进行参数拟合，得到目标拟合曲线，所述目标拟合曲线为所述绝对研磨量随所述修正相对研磨量的线性变化关系；以及用于根据所述目标晶圆的绝对研磨量及对应的修正相对研磨量及所述目标拟合曲线，计算所述目标晶圆的所述厚度均一性参数。

8.根据权利要求7所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述计算模块还用于根据所述目标晶圆的当前厚度值pre thk、目标厚度值post thk target以及厚度均一性参数TR％，按照如下公式计算所述目标晶圆的绝对研磨量Td：

Td＝(pre thk*Q-post thk target)*(1-TR％)*M+N；

上式中，M为所述目标晶圆的所述厚度均一性参数的修正系数，N为常数项修正系数，Q为所述目标晶圆的所述当前厚度值的修正系数。